- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录4157 > IDT71V25761S200BG8 (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 4MBIT 200MHZ 119BGA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT71V25761S200BG8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 6/21页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 200MHZ 119BGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 |
| 存储容量： | 4.5M（128K x 36） |
| 速度： | 200MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 119-BGA |
| 供应商设备封装： | 119-PBGA（14x22） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V25761S200BG8 |
IDT71V25761 128K x 36, 3.3V Synchronous SRAMs with
2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect
Pin Configuration – 128K x 36, 119 BGA
Commercial and Industrial Temperature Ranges
1
2
3
4
5
6
7
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
V DDQ
NC
NC
I/O 16
I/O 17
V DDQ
I/O 20
I/O 22
V DDQ
I/O 24
I/O 25
V DDQ
I/O 29
I/O 31
NC
A 6
CS 0
A 7
I/O P3
I/O 18
I/O 19
I/O 21
I/O 23
V DD
I/O 26
I/O 27
I/O 28
I/O 30
I/O P4
A 5
A 4
A 3
A 2
V SS
V SS
V SS
BW 3
V SS
NC
V SS
BW 4
V SS
V SS
V SS
LBO
ADSP
ADSC
V DD
NC
CE
OE
ADV
GW
V DD
CLK
NC
BWE
A 1
A 0
V DD
A 8
A 9
A 12
V SS
V SS
V SS
BW 2
V SS
NC
V SS
BW 1
V SS
V SS
V SS
V DD / NC (1)
A 16
CS 1
A 15
I/O P2
I/O 13
I/O 12
I/O 11
I/O 9
V DD
I/O 6
I/O 4
I/O 3
I/O 2
I/O 0
A 13
V DDQ
NC
NC
I/O 15
I/O 14
V DDQ
I/O 10
I/O 8
V DDQ
I/O 7
I/O 5
V DDQ
I/O 1
I/O P1
NC
T
U
NC
V DDQ
NC A 10
NC/TMS (2) NC/TDI (2)
A 11 A 14 NC ZZ (3)
NC/TCK (2) NC/TDO (2) NC/ TRST (2,4) V DDQ
,
Top View
5297 drw 04
NOTES:
1. R5 can either be directly connected to V DD , or connected to an input voltage ≥ V IH , or left unconnected.
2. These pins are NC for the "S" version or the JTAG signal listed for the "SA" version. Note: If NC, these pins can either be tied to V SS , V DD or left floating.
3. T7 can be left unconnected and the device will always remain in active mode.
4.
TRST is offered as an optional JTAG Reset if required in the application. If not needed, can be left floating and will internally be pulled to V DD .
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ACC65DRTN-S93 | CONN EDGECARD 130PS DIP .100 SLD |
| IDT71V25761S183BG8 | IC SRAM 4MBIT 183MHZ 119BGA |
| ACC65DRTH-S93 | CONN EDGECARD 130PS DIP .100 SLD |
| IDT71V25761S166BG8 | IC SRAM 4MBIT 166MHZ 119BGA |
| AMC31DRAN-S734 | CONN EDGECARD 62POS .100 R/A PCB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71V25761S200PF | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 200MHZ 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI |
| IDT71V25761S200PF8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 200MHZ 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI |
| IDT71V25761S200PFG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 200MHZ 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT71V25761S200PFG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 200MHZ 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT71V25761S200PFGI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 200MHZ 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。