参数资料
型号: IDT71V25761S200PFI
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 20/21页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 4MBIT 200MHZ 100TQFP
标准包装: 72
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 同步
存储容量: 4.5M(128K x 36)
速度: 200MHz
接口: 并联
电源电压: 3.135 V ~ 3.465 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 100-LQFP
供应商设备封装: 100-TQFP(14x14)
包装: 托盘
其它名称: 71V25761S200PFI
IDT71V25761 128K x 36, 3.3V Synchronous SRAMs with
2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect
Ordering Information
Package Information
100-Pin Thin Quad Plastic Flatpack (TQFP)
119 Ball Grid Array (BGA)
165 Fine Pitch Ball Grid Array (fBGA)
Information available on the IDT website
20
6.42
Commercial and Industrial Temperature Ranges
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PDF描述
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