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参数资料
型号： MMSD914T1
厂商： ON Semiconductor
文件页数： 1/4页
文件大小： 92K
描述： DIODE SWITCH 100V SOD123
产品变化通告： Wire Change 08/Jun/2009
标准包装： 10
二极管类型： 标准
电压 - (Vr)（最大）： 100V
电流 - 平均整流 (Io)： 200mA（DC）
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： 1V @ 10mA
速度： 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间(trr)： 4ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电： 5µA @ 75V
电容@ Vr, F： 4pF @ 0V，1MHz
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOD-123
供应商设备封装： SOD-123
包装： 剪切带 (CT)
其它名称： MMSD914T1OSCT
?
Semiconductor Components Industries, LLC, 2012
November, 2012 ?
Rev. 11
1
Publication Order Number:
MMSD914T1/D
MMSD914, SMMSD914
Switching Diode
Features
?
SOD?123 Surface Mount Package
?
High Breakdown Voltage
?
Fast Speed Switching Time
?
S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique
Site and Control Change Requirements; AEC?Q101 Qualified and
PPAP Capable
?
These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Compliant*
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Continuous Reverse Voltage
VR
100
Vdc
Peak Forward Current
IF
200
mAdc
Peak Forward Surge Current
IFM(surge)
500
mAdc
Non?repetitive Peak
Forward Surge Current
Pulse Width =1 second
Pulse Width =1 micro second
IFSM
1.0
2.0
A
A
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Total Device Dissipation FR?5 Board
(Note 1)
TA
= 25
°C
Derate above 25°C
PD
425
3.4
mW
mW/°C
Thermal Resistance,
Junction?to?Ambient
RJA
290
°C/W
Junction and Storage Temperature Range
TJ, Tstg
?55 to
+150
°C
1. FR?5 = 1.0oz Cu, 1.0inz
pad
*For additional information on our Pb?Free strategy and soldering details, please
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference
Manual, SOLDERRM/D.
http://onsemi.com
SOD?123
CASE 425
PLASTIC
1
CATHODE
2
ANODE
Device Package Shipping?
ORDERING INFORMATION
?For information on tape and reel specifications,
including part orientation and tape sizes, please
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications
Brochure, BRD8011/D.
MMSD914T1G SOD?123
(Pb?Free)
3,000 / Tape & Reel
MMSD914T3G SOD?123
10,000 / Tape & Reel
(Pb?Free)
MARKING DIAGRAM
125D M
5D = Specific Device Code
M = Date Code
= Pb?Free Package
(Note: Microdot may be in either location)
SMMSD914T1G SOD?123
(Pb?Free)
3,000 / Tape & Reel
SMMSD914T3G SOD?123
10,000 / Tape & Reel
(Pb?Free)
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PDF描述
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参数描述
MMSD914T1G 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 100V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
MMSD914T1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal Diode
MMSD914T3 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 100V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
MMSD914T3G 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 100V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
MMSD914-TP 功能描述:DIODE SW 400MW 75V SOD-123 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879
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