参数资料
型号: MMSD914T1
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 2/4页
文件大小: 92K
描述: DIODE SWITCH 100V SOD123
产品变化通告: Wire Change 08/Jun/2009
标准包装: 10
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 100V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA(DC)
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1V @ 10mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间(trr): 4ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 5µA @ 75V
电容@ Vr, F: 4pF @ 0V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOD-123
供应商设备封装: SOD-123
包装: 剪切带 (CT)
其它名称: MMSD914T1OSCT
MMSD914, SMMSD914
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA
= 25
°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Reverse Breakdown Voltage (IBR
= 100
Adc)
V(BR)
100
?
Vdc
Reverse Voltage Leakage Current
(VR
= 20 Vdc)
(VR
= 75 Vdc)
IR
?
?
25
5.0
nAdc
Adc
Forward Voltage (IF
= 10 mAdc)
VF
?
1000
mVdc
Diode Capacitance (VR
= 0 Vdc, f = 1.0 MHz)
CD
?
4.0
pF
Reverse Recovery Time (IF
= I
R
= 10 mAdc) (Figure 1)
trr
?
4.0
ns
Notes: 1. A 2.0 k
variable resistor adjusted for a Forward Current (I
F) of 10 mA.
Notes: 2. Input pulse is adjusted so IR(peak)
is equal to 10 mA.
Notes: 3. tp
? t
rr
+10 V
2 k
820
0.1 F
DUT
VR
100 H
0.1 F
50
OUTPUT
PULSE
GENERATOR
50
INPUT
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
tr
tp
t
10%
90%
IF
IR
trr
t
iR(REC)
= 1 mA
OUTPUT PULSE
(IF
= I
R
= 10 mA; measured
at iR(REC)
= 1 mA)
IF
INPUT SIGNAL
Figure 1. Recovery Time Equivalent Test Circuit
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