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参数资料
| 型号： | MMSD914T1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 92K |
| 描述： | DIODE SWITCH 100V SOD123 |
| 产品变化通告： | Wire Change 08/Jun/2009 |
| 标准包装： | 10 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 10mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 75V |
| 电容@ Vr, F： | 4pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-123 |
| 供应商设备封装： | SOD-123 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | MMSD914T1OSCT |
MMSD914, SMMSD914
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA
= 25
°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Reverse Breakdown Voltage (IBR
= 100
Adc)
V(BR)
100
?
Vdc
Reverse Voltage Leakage Current
(VR
= 20 Vdc)
(VR
= 75 Vdc)
IR
?
?
25
5.0
nAdc
Adc
Forward Voltage (IF
= 10 mAdc)
VF
?
1000
mVdc
Diode Capacitance (VR
= 0 Vdc, f = 1.0 MHz)
CD
?
4.0
pF
Reverse Recovery Time (IF
= I
R
= 10 mAdc) (Figure 1)
trr
?
4.0
ns
Notes: 1. A 2.0 k
variable resistor adjusted for a Forward Current (I
F) of 10 mA.
Notes: 2. Input pulse is adjusted so IR(peak)
is equal to 10 mA.
Notes: 3. tp
? t
rr
+10 V
2 k
820
0.1 F
DUT
VR
100 H
0.1 F
50
OUTPUT
PULSE
GENERATOR
50
INPUT
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
tr
tp
t
10%
90%
IF
IR
trr
t
iR(REC)
= 1 mA
OUTPUT PULSE
(IF
= I
R
= 10 mA; measured
at iR(REC)
= 1 mA)
IF
INPUT SIGNAL
Figure 1. Recovery Time Equivalent Test Circuit
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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