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参数资料
| 型号： | MMSD914T1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 92K |
| 描述： | DIODE SWITCH 100V SOD123 |
| 产品变化通告： | Wire Change 08/Jun/2009 |
| 标准包装： | 10 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 10mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 75V |
| 电容@ Vr, F： | 4pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-123 |
| 供应商设备封装： | SOD-123 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | MMSD914T1OSCT |
MMSD914, SMMSD914
http://onsemi.com
3
I
R
, REVERSE CURRENT (
μ
100
0.10.2 0.4
VF, FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
0.6 0.8 1.0
1.2
10
1.0
TA
= 85
°C
10
0.0010
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
1.0
0.1
0.01
10 20 30 40 50
0.68
0.52
0
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
0.64
0.60
0.56
C
D
, DIODE CAPACITANCE (pF)
2468
I
F
, FORWARD CURRENT (mA)
TA
= 25
°C
TA
= -
°C
TA
= 150
°C
TA
= 125
°C
TA
= 85
°C
TA
= 55
°C
TA
= 25
°C
Figure 2. Forward Voltage Figure 3. Leakage Current
Figure 4. Capacitance
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MMSD914T1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal Diode |
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| MMSD914T3G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 100V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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