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参数资料
| 型号： | IDT71V30L35TFI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 1/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 8KBIT 35NS 64STQFP |
| 标准包装： | 40 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 8K (1K x 8) |
| 速度： | 35ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 64-LQFP |
| 供应商设备封装： | 64-TQFP（10x10） |
| 包装： | 托盘 |
| 产品目录页面： | 1254 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 71V30L35TFI 800-1470 |
Features
HIGH-SPEED 3.3V
1K X 8 DUAL-PORT
STATIC RAM
IDT71V30S/L
◆
◆
High-speed access
– Commercial: 25/35/55ns (max.)
Low-power operation
– IDT71V30S
— Active: 375mW (typ.)
— Standby: 5mW (typ.)
– IDT71V30L
— Active: 375mW (typ.)
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
On-chip port arbitration logic
Interrupt flags for port-to-port communication
Fully asynchronous operation from either port
Battery backup operation, 2V data retention (L Only)
TTL-compatible, single 3.3V ±0.3V power supply
Industrial temperature range (-40 O C to +85 O C) is available
for selected speeds
Green parts available, see ordering information
— Standby: 1mW (typ.)
Functional Block Diagram
BUSY R
OE L
CE L
R/ W L
I/O 0L - I/O 7L
(1)
BUSY L
I/O
Control
I/O
Control
OE R
CE R
R/ W R
I/O 0R -I/O 7R
(1)
A 9L
A 0L
Address
Decoder
MEMORY
ARRAY
Address
Decoder
A 9R
A 0R
10
10
INT L
INT R
(2)
CE L
OE L
R/ W L
ARBITRATION
and
INTERRUPT
LOGIC
CE R
OE R
R/ W R
(2)
3741 drw 01
NOTES:
1. IDT71V30: BUSY outputs are non-tristatable push-pulls.
2. INT outputs are non-tristable push-pull output structure.
NOVEMBER 2009
1
?2009 Integrated Device Technology, Inc.
DSC 3741/10
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V321L25TFI | IC SRAM 16KBIT 25NS 64STQFP |
| IDT71V3556SA166BGGI | IC SRAM 4MBIT 166MHZ 119BGA |
| IDT71V3559S85BQI | IC SRAM 4MBIT 85NS 165FBGA |
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| IDT71V3577S75BQG | IC SRAM 4MBIT 75NS 165FBGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71V30L35TFI8 | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT71V30L55TF | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 55NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT71V30L55TF8 | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 55NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT71V30S25TF | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT71V30S25TF8 | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
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