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参数资料
| 型号： | IDT71V30L35TFI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 3/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 8KBIT 35NS 64STQFP |
| 标准包装： | 40 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 8K (1K x 8) |
| 速度： | 35ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 64-LQFP |
| 供应商设备封装： | 64-TQFP（10x10） |
| 包装： | 托盘 |
| 产品目录页面： | 1254 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 71V30L35TFI 800-1470 |
IDT71V30S/L
High-Speed 1K x 8 Dual-Port Static RAM with Interrupts
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Absolute Maximum Ratings (1)
Symbol Rating Com'l & Ind
Unit
Recommended
DC Operating Conditions
V TERM
(2)
Terminal Voltage
-0.5 to +4.60
V
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
with Respect to GND
V CC
Supply Voltage
3.0
3.3
3.6
V
T BIAS
T STG
Temperature
Under Bias
Storage
-55 to +125
-65 to +150
o
o
C
C
GND
V IH
Ground
Input High Voltage
0
2.0
0
____
0
V CC + 0.3V
V
V
-0.3
Temperature
V IL
Input Low Voltage
(1)
____
0.8
V
T JN (3)
Junction Temperature
+150
o
C
NOTE:
3741 tbl 02
I OUT
DC Output
50
mA
1. V IL (min.) = -1.5V for pulse width less than 20ns.
Current
NOTES:
3741 tbl 01
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
may cause permanent damage to the device. This is a stress rating only
and functional operation of the device at these or any other conditions
above those indicated in the operational sections of the specification is not
Maximum Operating
Temperature and Supply Voltage (1,2)
0 C to +70 C
implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended
periods may affect reliability.
2. V TERM must not exceed Vcc + 0.3V for more than 25% of the cycle time or 10ns
maximum, and is limited to < 20mA for the period of V TERM > Vcc + 0.3V.
Grade
Commercial
Ambient
Temperature
O O
GND
0V
Vcc
3.3V + 0.3
3. This is the absolute maximum junction temperature for the device. No DC Bias.
-40 C to +85 C
Industrial
O O
0V
3.3V + 0.3
Capacitance
(1)
(T A = +25 O C, f=1.0MHz)
NOTES:
1. This is the parameter T A . This is the "instant on" case temperature.
2. Industrial temperature: for specific speeds, packages and powers,
3741 tbl 03
Symbol
C IN
C OUT (3)
Parameter
Input Capacitance
Output Capacitance
Conditions (2)
V IN = 3dV
V OUT = 3dV
Max.
9
10
Unit
pF
pF
contact your sales office.
NOTES:
3741 tbl 04
1. This parameter is determined by device characterization but is not production
tested.
2. 3dv references the interpolated capacitance when the input and output signals
switch from 0V to 3V or from 3V to 0V.
DC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage Range
(V CC = 3.3V ± 0.3V)
71V30S
71V30L
Symbol
|I LI |
|I LO |
Parameter
Input Leakage
Current (1)
Output Leakage
Test Conditions
V CC = 3.6V,
V IN = 0V to V CC
CE = V IH ,
Min.
___
___
Max.
10
10
Min.
___
___
Max.
5
5
Unit
μA
μA
Current
V OUT = 0V to V CC
V OL
Output Low Voltage
I OL = 4mA
___
0.4
___
0.4
V
(I/O 0 -I/O 7 )
V OH
Output High Voltage
I OH = -4mA
2.4
___
2.4
___
V
NOTE:
1. At Vcc < 2.0V input leakages are undefined.
3
6.42
Supply CurrentV IN > V CC -0.2V or < 0.2V
3741 tbl 05
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