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参数资料
| 型号： | IDT71V321L35PF8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 4/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 16KBIT 35NS 64TQFP |
| 标准包装： | 750 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 16K (2K x 8) |
| 速度： | 35ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 64-LQFP |
| 供应商设备封装： | 64-TQFP（14x14） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V321L35PF8 |
IDT71V321/71V421S/L
High Speed 3.3V 2K x 8 Dual-Port Static RAM with Interrupts
Industrial and Commercial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (1,2) (V CC = 3.3V ± 0.3V)
71V321X25
71V421X25
Com'l & Ind
71V321X35
71V421X35
Com'l & Ind
71V321X55
71V421X55
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ.
Max.
Typ.
Max.
Typ.
Max.
Unit
I CC
I SB1
I SB2
I SB3
I SB4
Dynamic Operating
Current
(Both Ports Active)
Standby Current
(Both Ports - TTL
Level Inputs)
Standby Current
(One Port - TTL
Level Inputs)
Full Standby Current
(Both Ports - All
CMOS Level Inputs)
Full Standby Current
(One Port - All
CMOS Level Inputs)
CE = V IL , Outputs Disabled
SEM = V IH
f = f MAX (3)
CE R = CE L = V IH
SEM R = SEM L = V IH
f = f MAX (3)
CE "A" = V IL and CE "B" = V IH (5)
Active Port Outputs Disabled,
f=f MAX (3)
SEM R = SEM L = V IH
Both Ports CE L and
CE R > V CC - 0.2V
V IN > V CC - 0.2V or
V IN < 0.2V, f = 0 (4)
SEM R = SEM L > V CC - 0.2V
CE "A" < 0.2V and
CE "B" > V CC - 0.2V (5)
SEM R = SEM L > V CC - 0.2V
COM'L
IND
COM'L
IND
COM'L
IND
COM'L
IND
COM'L
S
L
L
S
L
L
S
L
L
S
L
L
S
L
55
55
55
15
15
15
25
25
25
1.0
0.2
0.2
25
25
130
100
130
35
20
35
75
55
75
5
3
6
70
55
55
55
55
15
15
15
25
25
25
1.0
0.2
1.0
25
25
125
95
125
35
20
35
70
50
70
5
3
5
65
50
55
55
___
15
15
___
25
25
___
1.0
0.2
___
25
25
115
85
___
35
20
___
60
40
___
5
3
___
55
40
mA
mA
mA
mA
mA
V IN > V CC - 0.2V or V IN < 0.2V
Active Port Outputs Disabled
f = f MAX (3)
IND
L
25
70
25
65
___
___
3026 tbl 06
NOTES:
1. 'X' in part numbers indicates power rating (S or L).
2. V CC = 3.3V, T A = +25°C, and are not production tested. I CCDC = 70mA (Typ.).
3. At f = f MAX , address and control lines (except Output Enable) are cycling at the maximum frequency read cycle of 1/t RC and using "AC Test Conditions" of input levels
of GND to 3V.
4. f = 0 means no address or control lines change. Applies only to inputs at CMOS level standby.
5. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is opposite from port "A".
Data Retention Characteristics (L Version Only)
Symbol
V DR
Parameter
V CC for Data Retention
Test Condition
Min.
2.0
Typ.
___
(1)
Max.
0
Unit
V
I CCDR
t CDR (3)
Data Retention Current
Chip Deselect to Data
V CC = 2 V, CE > V CC - 0.2V
V IN > V CC - 0.2V or V IN < 0.2V
COM'L.
IND.
___
___
100
100
500
1000
μA
μA
Retention Time
0
___
___
V
t R
t RC
(3)
Operation Recovery Time
(2)
___
___
V
3026 tbl 07
NOTES:
1. V CC = 2V, T A = +25°C, and is not production tested.
2. t RC = Read Cycle Time.
3. This parameter is guaranteed by device characterization but not production tested.
6.42
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