- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录4141 > IDT71V3557S85BG (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 4MBIT 85NS 119BGA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT71V3557S85BG |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 28/28页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 85NS 119BGA |
| 标准包装： | 84 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 ZBT |
| 存储容量： | 4.5M（128K x 36） |
| 速度： | 85ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 119-BGA |
| 供应商设备封装： | 119-PBGA（14x22） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 71V3557S85BG |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页当前第28页
IDT71V3557, IDT71V3559, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
ZBT? Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Datasheet Document History
6/30/99
Updated to new format
8/23/99
12/31/99
05/02/00
Pg. 5, 6
Pg. 7
Pg. 15
Pg. 21
Pg. 23
Pg. 5, 14, 15, 22
Pg. 5,6
Added Pin 64 to Note 1 and changed Pins 38, 42, and 43 to DNU
Changed U2–U6 to DNU
Improved t CH , t CL ; revised t CLZ
Added BGA package diagrams
Added Datasheet Document History
Added Industrial Temperature range offerings
Insert clarification note to Recommended OperatingTemperature and Absolute Max ratings
tables
05/26/00
Pg. 5,6,7
Pg. 6
Pg. 21
Pg. 23
Clarify note on TQFP and BGA pin configurations; corrected typo in pinout
Add BGA capacitance table
Add TQFP Package Diagram Outline
Add new package offering 13 x 15mm 165 fBGA
Correct 119 BGA Package Diagram Outline
07/26/00
Pg. 5-8
Add ZZ sleep mode reference note to TQFP, BG119 and BQ165
10/25/00
Pg. 8
Pg. 23
Pg. 8
Update BQ165 pinout
Update BG119 pinout package diagram dimensions
Remove preliminary status
Add reference note to pin N5 on BQ165 pinout, reserved for JTAG TRST
05/20/02
10/15/04
12/07/05
Pg. 1-8,15,22,23,27
Pg. 7
Pg. 27
Added JTAG "SA" version functionality and updated ZZ pin descriptions and notes.
Updated pin configuration for the 119 BGA - reordered I/O signals on P6, P7 (128K x 36)
and P7, N6, L6, K7, H6, G7, F6, E7, D6 (256K x 18).
Added "Restricted hazardous substance device" to ordering information.
CORPORATE HEADQUARTERS
6024 Silver Creek Valley Rd
San Jose, CA 95138
for SALES:
800-345-7015 or 408-284-8200
fax: 408-284-2775
www.idt.com
for Tech Support:
sramhelp@idt.com
800-345-7015 or
408/284-4555
The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.
ZBT and ZeroBus Turnaround are trademarks of Integrated Device Technology, Inc. and the architecture is supported by Micron Technology and Motorola Inc.
28
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V3557S80BG | IC SRAM 4MBIT 80NS 119BGA |
| IDT71V3557S75BGG | IC SRAM 4MBIT 75NS 119BGA |
| IDT71V3557S75BG | IC SRAM 4MBIT 75NS 119BGA |
| IDT71V3556SA150BG | IC SRAM 4MBIT 150MHZ 119BGA |
| IDT71V3556SA133BG | IC SRAM 4MBIT 133MHZ 119BGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71V3557S85BG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 85NS 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
| IDT71V3557S85BGI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 85NS 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT71V3557S85BGI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 85NS 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT71V3557S85BQ | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 85NS 165FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI |
| IDT71V3557S85BQ8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 85NS 165FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。