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参数资料
| 型号： | IDT71V3557SA80BGG |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 28/28页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 80NS 119BGA |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 05/Nov/2008 |
| 标准包装： | 84 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 ZBT |
| 存储容量： | 4.5M（128K x 36） |
| 速度： | 80ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 119-BGA |
| 供应商设备封装： | 119-PBGA（14x22） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 71V3557SA80BGG |
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IDT71V3557, IDT71V3559, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
ZBT? Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Datasheet Document History
6/30/99
Updated to new format
8/23/99
12/31/99
05/02/00
Pg. 5, 6
Pg. 7
Pg. 15
Pg. 21
Pg. 23
Pg. 5, 14, 15, 22
Pg. 5,6
Added Pin 64 to Note 1 and changed Pins 38, 42, and 43 to DNU
Changed U2–U6 to DNU
Improved t CH , t CL ; revised t CLZ
Added BGA package diagrams
Added Datasheet Document History
Added Industrial Temperature range offerings
Insert clarification note to Recommended OperatingTemperature and Absolute Max ratings
tables
05/26/00
Pg. 5,6,7
Pg. 6
Pg. 21
Pg. 23
Clarify note on TQFP and BGA pin configurations; corrected typo in pinout
Add BGA capacitance table
Add TQFP Package Diagram Outline
Add new package offering 13 x 15mm 165 fBGA
Correct 119 BGA Package Diagram Outline
07/26/00
Pg. 5-8
Add ZZ sleep mode reference note to TQFP, BG119 and BQ165
10/25/00
Pg. 8
Pg. 23
Pg. 8
Update BQ165 pinout
Update BG119 pinout package diagram dimensions
Remove preliminary status
Add reference note to pin N5 on BQ165 pinout, reserved for JTAG TRST
05/20/02
10/15/04
12/07/05
Pg. 1-8,15,22,23,27
Pg. 7
Pg. 27
Added JTAG "SA" version functionality and updated ZZ pin descriptions and notes.
Updated pin configuration for the 119 BGA - reordered I/O signals on P6, P7 (128K x 36)
and P7, N6, L6, K7, H6, G7, F6, E7, D6 (256K x 18).
Added "Restricted hazardous substance device" to ordering information.
CORPORATE HEADQUARTERS
6024 Silver Creek Valley Rd
San Jose, CA 95138
for SALES:
800-345-7015 or 408-284-8200
fax: 408-284-2775
www.idt.com
for Tech Support:
sramhelp@idt.com
800-345-7015 or
408/284-4555
The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.
ZBT and ZeroBus Turnaround are trademarks of Integrated Device Technology, Inc. and the architecture is supported by Micron Technology and Motorola Inc.
28
6.42
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PDF描述 |
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| IDT71V3557SA80BG8 | IC SRAM 4MBIT 80NS 119BGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71V3557SA80BGG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 80NS 119BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V3557SA80BGGI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 80NS 119BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V3557SA80BGGI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 80NS 119BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V3557SA80BGI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 80NS 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
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