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参数资料
| 型号： | IDT71V3558S166PFGI8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 15/28页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 166MHZ 100TQFP |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 ZBT |
| 存储容量： | 4.5M（256K x 18） |
| 速度： | 166MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V3558S166PFGI8 |
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IDT71V3556, IDT71V3558, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with
ZBT ? Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs
Commercial and Industrial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (V DD = 3.3V +/-5%)
Symbol
|I LI |
|I LI |
|I LO |
V OL
V OH
Parameter
Input Leakage Current
LBO, JTAG and ZZ Input Leakage Current (1)
Output Leakage Current
Output Low Voltage
Output High Voltage
Test Conditions
V DD = Max., V IN = 0V to V DD
V DD = Max., V IN = 0V to V DD
V OUT = 0V to V DDQ , Device Deselected
I OL = +8mA, V DD = Min.
I OH = -8mA, V DD = Min.
Min.
___
___
___
___
2.4
Max.
5
30
5
0.4
___
Unit
μA
μA
μA
V
V
NOTE:
1. The LBO, TMS, TDI, TCK and TRST pins will be internally pulled to V DD and ZZ will be internally pulled if they are not actively driven in the application.
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (1) (V DD = 3.3V +/-5%)
5281 tbl 21
200MHz (4)
166MHz
133MHz
100MHz
Symbol
I DD
Parameter
Operating Power
Supply Current
Test Conditions
Device Selected, Outputs Open,
ADV/LD = X, V DD = Max.,
V IN > V IH or < V IL , f = f MAX (2)
Com'l Only
400
Com'l
350
Ind
360
Com'l
300
Ind
310
Com'l
250
Ind
255
Unit
mA
CMOS Standby
V DD = Max., V IN > V HD or < V LD , f
I SB1
I SB2
Device Deselected, Outputs Open,
Power Supply Current V DD = Max., V IN > V HD or < V LD , f
= 0 (2,3)
Clock Running Power Device Deselected, Outputs Open,
Supply Current
= f MAX (2.3)
40
130
40
120
45
130
40
110
45
120
40
100
45
110
mA
mA
I SB3
Idle Power
Supply Current
Device Selected, Outputs Open,
CEN > V IH , V DD = Max.,
V IN > V HD or < V LD , f = f MAX (2,3)
40
40
45
40
45
40
45
mA
NOTES:
1. All values are maximum guaranteed values.
2. At f = f MAX, inputs are cycling at the maximum frequency of read cycles of 1/t CYC ; f=0 means no input lines are changing.
3. For I/Os V HD = V DDQ – 0.2V, V LD = 0.2V. For other inputs V HD = V DD – 0.2V, V LD = 0.2V.
4. Only available in 256K x 18 configuration.
5281 tbl 22
AC Test Loads
6
I/O
Z 0 = 50 Ω
V DDQ /2
50 Ω
5281 drw 04
,
AC Test Conditions
(V DDQ = 3.3V)
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
0 to 3V
2ns
5
4
Δ tCD 3
(Typical, ns)
2
Figure 1. AC Test Load
Input Timing Reference Levels
Output Timing Reference Levels
AC Test Load
1.5V
1.5V
See Figure 1
5281 tbl 23
1
20 30 50
80 100
Capacitance (pF)
200
5281 drw 05
,
Figure 2. Lumped Capacitive Load, Typical Derating
15
6.42
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