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参数资料
| 型号： | IDT71V3559S80PFG8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 8/28页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 80NS 100TQFP |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 ZBT |
| 存储容量： | 4.5M（256K x 18） |
| 速度： | 80ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V3559S80PFG8 |
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IDT71V3557, IDT71V3559, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
ZBT? Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Pin Configuration ? 128K x 36, 165 fBGA
1
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3
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5
6
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8
9
10
11
NC
A
B
C
D
E
F
G
NC (3)
NC
I/O P3
I/O 17
I/O 19
I/O 21
I/O 23
A 7
A 6
NC
I/O 16
I/O 18
I/O 20
I/O 22
CE 1
CE 2
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
BW 3
BW 4
V SS
V DD
V DD
V DD
V DD
BW 2
BW 1
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
CE 2
CLK
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
CEN
R/ W
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
ADV /LD
OE
V SS
V DD
V DD
V DD
V DD
NC (3)
(3)
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
A 8
A 9
NC
I/O 15
I/O 13
I/O 11
I/O 9
NC
NC (3)
I/O P2
I/O 14
I/O 12
I/O 10
I/O 8
H
V SS
(1)
V DD
(2)
NC
V DD
V SS
V SS
V SS
V DD
NC
NC
NC/ZZ (6)
J
K
L
M
N
P
I/O 25
I/O 27
I/O 29
I/O 31
I/O P4
NC
I/O 24
I/O 26
I/O 28
I/O 30
NC
NC (3)
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
A 5
V DD
V DD
V DD
V DD
V SS
A 2
V SS
V SS
V SS
V SS
NC/ TRST (4, 5)
NC/TDI (4)
V SS
V SS
V SS
V SS
NC
A 1
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS (1)
NC/TDO (4)
V DD
V DD
V DD
V DD
V SS
A 10
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
A 13
I/O 7
I/O 5
I/O 3
I/O 1
NC
A 14
I/O 6
I/O 4
I/O 2
I/O 0
I/O P1
NC
NC
R
LBO
(3)
A 4
A 3
NC/TMS
(4)
A 0
NC/TCK
(4)
A 11
A 12
A 15
A 16
5282 tbl 25
Pin Configuration - 256K x 18, 165 fBGA
1
2
3
4
5
6
7
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9
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11
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
NC (3)
NC
NC
NC
NC
NC
NC
Vss (1)
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
A 7
A 6
NC
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
V DD (2)
NC
NC
NC
NC
CE 1
CE 2
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
NC
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
BW 2
NC
V SS
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
NC
BW 1
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
CE 2
CLK
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
CEN
R/ W
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
ADV /LD
OE
V SS
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
NC (3)
NC (3)
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
NC
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
A 8
A 9
NC
NC
NC
NC
NC
NC
I/O 3
I/O 2
I/O 1
I/O 0
A 10
NC (3)
I/O P1
I/O 7
I/O 6
I/O 5
I/O 4
NC/ZZ (6)
NC
NC
NC
NC
NC/ TRST
N
I/O P2
NC
V DDQ
V SS
(4, 5)
NC
V SS
(1)
V SS
V DDQ
NC
NC
NC
NC/TDI
NC/TDO
P
R
NC
LBO
(3)
NC (3)
A 5
A 4
A 2
A 3
(4)
NC/TMS (4)
A 1
A 0
(4)
NC/TCK (4)
A 11
A 12
A 14
A 13
A 15
A 16
NC
A 17
5282 tbl 25a
NOTES:
1. H1 and N7 do not have to be directly connected to V SS as long as the input voltage is < V IL.
2. H2 does not have to be directly connected directly to V DD as long as the input voltage is ≥ V IH .
3. A9, B9, B11, A1, R2, and P2 are reserved for future 9M, 18M, 36M, 72M, 144M, and 288M respectively.
4. These pins are NC for the "S" version and the JTAG signal listed for the "SA" version.
5. TRST is offered as an optional JTAG reset if requested in the application. If not needed, can be left floating and will internally be pulled to V DD.
6. Pin H11 supports ZZ (sleep mode) for the latest die revisions.
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6.42
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IDT71V3559S80PFGI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 80NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT71V3559S80PFGI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 80NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
| IDT71V3559S80PFI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 80NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V3559S80PFI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 80NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V3559S85BG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 85NS 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
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