参数资料
型号: IDT71V3559SA75BQ8
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 22/28页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 4MBIT 75NS 165FBGA
产品变化通告: Product Discontinuation 05/Nov/2008
标准包装: 2,000
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 同步 ZBT
存储容量: 4.5M(256K x 18)
速度: 75ns
接口: 并联
电源电压: 3.135 V ~ 3.465 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 165-TBGA
供应商设备封装: 165-CABGA(13x15)
包装: 带卷 (TR)
其它名称: 71V3559SA75BQ8
IDT71V3557, IDT71V3559, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
ZBT? Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
JTAG Interface Specification (SA Version only)
t JCYC
t JF
t JCL
t JR
t JCH
TCK
Device Inputs (1) /
TDI/TMS
Device Outputs (2) /
t JS
t JH
t JDC
TDO
TRST ( 3)
t JRSR
t JCD
x
M5282 drw 01
t JRST
NOTES:
1. Device inputs = All device inputs except TDI, TMS and TRST .
2. Device outputs = All device outputs except TDO.
3. During power up, TRST could be driven low or not be used since the JTAG circuit resets automatically. TRST is an optional JTAG reset.
JTAG AC Electrical
Characteristics (1,2,3,4)
Symbol
t JCYC
Parameter
JTAG Clock Input Period
Min.
100
Max.
____
Units
ns
Scan Register Sizes
t JCH
t JCL
t JR
t JF
t JRST
t JRSR
JTAG Clock HIGH
JTAG Clock Low
JTAG Clock Rise Time
JTAG Clock Fall Time
JTAG Reset
JTAG Reset Recovery
40
40
____
____
50
50
____
____
5 (1)
5 (1)
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Register Name
Instruction (IR)
Bypass (BYR)
JTAG Identification (JIDR)
Boundary Scan (BSR)
NOTE:
Bit Size
4
1
32
Note (1)
I5282 tbl 03
t JCD
t JDC
t JS
t JH
JTAG Data Output
JTAG Data Output Hold
JTAG Setup
JTAG Hold
____
0
25
25
20
____
____
____
ns
ns
ns
ns
1. The Boundary Scan Descriptive Language (BSDL) file for this device is available
by contacting your local IDT sales representative.
I5282 tbl 01
NOTES:
1. Guaranteed by design.
2. AC Test Load (Fig. 1) on external output signals.
3. Refer to AC Test Conditions stated earlier in this document.
4. JTAG operations occur at one speed (10MHz). The base device may run at any speed specified in this datasheet.
6.42
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IDT71V3559SA75BQG 功能描述:IC SRAM 4MBIT 75NS 165FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
IDT71V3559SA75BQG8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 75NS 165FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
IDT71V3559SA75BQGI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 75NS 165FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
IDT71V3559SA75BQGI8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 75NS 165FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
IDT71V3559SA75BQI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 75NS 165FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040