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参数资料
| 型号： | IDT71V3559SA75BQ8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 28/28页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 75NS 165FBGA |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 05/Nov/2008 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 ZBT |
| 存储容量： | 4.5M（256K x 18） |
| 速度： | 75ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 165-TBGA |
| 供应商设备封装： | 165-CABGA（13x15） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V3559SA75BQ8 |
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IDT71V3557, IDT71V3559, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
ZBT? Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Datasheet Document History
6/30/99
Updated to new format
8/23/99
12/31/99
05/02/00
Pg. 5, 6
Pg. 7
Pg. 15
Pg. 21
Pg. 23
Pg. 5, 14, 15, 22
Pg. 5,6
Added Pin 64 to Note 1 and changed Pins 38, 42, and 43 to DNU
Changed U2–U6 to DNU
Improved t CH , t CL ; revised t CLZ
Added BGA package diagrams
Added Datasheet Document History
Added Industrial Temperature range offerings
Insert clarification note to Recommended OperatingTemperature and Absolute Max ratings
tables
05/26/00
Pg. 5,6,7
Pg. 6
Pg. 21
Pg. 23
Clarify note on TQFP and BGA pin configurations; corrected typo in pinout
Add BGA capacitance table
Add TQFP Package Diagram Outline
Add new package offering 13 x 15mm 165 fBGA
Correct 119 BGA Package Diagram Outline
07/26/00
Pg. 5-8
Add ZZ sleep mode reference note to TQFP, BG119 and BQ165
10/25/00
Pg. 8
Pg. 23
Pg. 8
Update BQ165 pinout
Update BG119 pinout package diagram dimensions
Remove preliminary status
Add reference note to pin N5 on BQ165 pinout, reserved for JTAG TRST
05/20/02
10/15/04
12/07/05
Pg. 1-8,15,22,23,27
Pg. 7
Pg. 27
Added JTAG "SA" version functionality and updated ZZ pin descriptions and notes.
Updated pin configuration for the 119 BGA - reordered I/O signals on P6, P7 (128K x 36)
and P7, N6, L6, K7, H6, G7, F6, E7, D6 (256K x 18).
Added "Restricted hazardous substance device" to ordering information.
CORPORATE HEADQUARTERS
6024 Silver Creek Valley Rd
San Jose, CA 95138
for SALES:
800-345-7015 or 408-284-8200
fax: 408-284-2775
www.idt.com
for Tech Support:
sramhelp@idt.com
800-345-7015 or
408/284-4555
The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.
ZBT and ZeroBus Turnaround are trademarks of Integrated Device Technology, Inc. and the architecture is supported by Micron Technology and Motorola Inc.
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6.42
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71V3559SA75BQG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 75NS 165FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V3559SA75BQG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 75NS 165FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V3559SA75BQGI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 75NS 165FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V3559SA75BQGI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 75NS 165FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V3559SA75BQI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 75NS 165FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
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