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参数资料
| 型号： | IDT71V3559SA75BQI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 15/28页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 75NS 165FBGA |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 05/Nov/2008 |
| 标准包装： | 136 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 ZBT |
| 存储容量： | 4.5M（256K x 18） |
| 速度： | 75ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 165-TBGA |
| 供应商设备封装： | 165-CABGA（13x15） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 71V3559SA75BQI |
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IDT71V3557, IDT71V3559, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
ZBT? Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (V DD = 3.3V +/-5%)
Symbol
|I LI |
|I LI |
|I LO |
V OL
V OH
Parameter
Input Leakage Current
LBO, JTAG and ZZ Input Leakage Current (1)
Output Leakage Current
Output Low Voltage
Output High Voltage
Test Conditions
V DD = Max., V IN = 0V to V DD
V DD = Max., V IN = 0V to V DD
V OUT = 0V to V CC
I OL = +8mA, V DD = Min.
I OH = -8mA, V DD = Min.
Min.
___
___
___
___
2.4
Max.
5
30
5
0.4
___
Unit
μA
μA
μA
V
V
5282 tbl 21
NOTE:
1. The LBO, JTAG and ZZ pins will be internally pulled to V DD and ZZ will be internally pulled to V SS if it is not actively driven in the application.
DC Electrical Characterics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (1) (V DD = 3.3V +/-5%)
7.5ns
8ns
8.5ns
Symbol
I DD
I SB1
Parameter
Operating Power
Supply Current
CMOS Standby Power
Test Conditions
Device Selected, Outputs Open,
ADV/ LD = X, V DD = Max.,
V IN > V IH or < V IL , f = f MAX (2)
Device Deselected, Outputs Open,
Com'l Only
275
40
Com'l
250
40
Ind
260
45
Com'l
225
40
Ind
235
45
Unit
mA
mA
Supply Current
V DD = Max., V IN > V HD or < V LD ,
f = 0 (2,3)
I SB2
Clock Running Power
Device Deselected, Outputs Open,
105
100
110
95
105
mA
Supply Current
V DD = Max., V IN > V HD or < V LD ,
f = f MAX (2,3)
I SB3
Idle Power
Supply Current
Device Selected, Outputs Open,
CEN > V IH , V DD = Max.,
V IN > V HD or < V LD , f = f MAX (2,3)
40
40
45
40
45
mA
NOTES:
1. All values are maximum guaranteed values.
2. At f = f MAX, inputs are cycling at the maximum frequency of read cycles of 1/t CYC ; f=0 means no input lines are changing.
3. For I/Os V HD = V DDQ - 0.2V, V LD = 0.2V. For other inputs V HD = V DD - 0.2V, V LD = 0.2V.
5282 tbl 22
AC Test Loads
V DDQ /2
AC Test Conditions (V DDQ = 3.3V)
50 ?
Input Pulse Levels
0 to 3V
6
I/O
Z 0 = 50 ?
5282 drw 04
,
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
2ns
1.5V
5
4
Figure 1. AC Test Load
Output Reference Levels
Output Load
1.5V
Figure 1
5282 tbl 23
? tCD
3
(Typical, ns)
2
1
20 30 50
80 100
200
Capacitance (pF)
5282 drw 05
,
Figure 2. Lumped Capacitive Load, Typical Derating
15
6.42
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PDF描述 |
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参数描述 |
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