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参数资料
| 型号： | IDT71V3559SA75BQI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 5/28页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 75NS 165FBGA |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 05/Nov/2008 |
| 标准包装： | 136 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 ZBT |
| 存储容量： | 4.5M（256K x 18） |
| 速度： | 75ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 165-TBGA |
| 供应商设备封装： | 165-CABGA（13x15） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 71V3559SA75BQI |
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IDT71V3557, IDT71V3559, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
ZBT? Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Recommended Operating
Temperature and Supply Voltage
Grade
Commercial
Industrial
Temperature (1)
0°C to +70°C
-40°C to +85°C
V SS
0V
0V
V DD
3.3V±5%
3.3V±5%
V DDQ
3.3V±5%
3.3V±5%
NOTES:
5282 tbl 05
1. T A is the "instant on" case temperature.
Pin Configuration ? 128K x 36
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81
I/O P3
I/O 16
I/O 17
V DDQ
V SS
I/O 18
I/O 19
I/O 20
I/O 21
V SS
V DDQ
I/O 22
I/O 23
V SS (1)
V DD
V DD (2)
V SS
I/O 24
I/O 25
V DDQ
V SS
I/O 26
I/O 27
I/O 28
I/O 29
V SS
V DDQ
I/O 30
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
I/O P2
I/O 15
I/O 14
V DDQ
V SS
I/O 13
I/O 12
I/O 11
I/O 10
V SS
V DDQ
I/O 9
I/O 8
V SS
V SS (1)
V DD
V SS/ZZ (1,4)
I/O 7
I/O 6
V DDQ
V SS
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
V SS
V DDQ
I/O 1
I/O 31
I/O P4
29
30
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
52
51
I/O 0
I/O P1
,
5282 drw 02
Top View
100 TQFP
NOTES:
1. Pins 14, 64, and 66 do not have to be connected directly to V SS as long as the input voltage is < V IL .
2. Pin 16 does not have to be connected directly to V DD as long as the input voltage is > V IH .
3. Pins 83 and 84 are reserved for future 8M and 16M respectively.
4. Pin 64 supports ZZ (sleep mode) for the latest die revisions.
5
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GMM36DRYS | CONN EDGECARD 72POS DIP .156 SLD |
| IDT71V3559SA75BQGI8 | IC SRAM 4MBIT 75NS 165FBGA |
| CD4056BMTE4 | IC BCD-7SEG DECODER/DVR 16-SOIC |
| GSM43DRES | CONN EDGECARD 86POS .156 EYELET |
| GMM43DRES | CONN EDGECARD 86POS .156 EYELET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71V3559SA75BQI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 75NS 165FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V3559SA80BG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 80NS 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V3559SA80BG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 80NS 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V3559SA80BQ | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 80NS 165FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V3559SA80BQ8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 80NS 165FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
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