- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录20207 > IDT71V35761S166BQGI8 (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 4MBIT 166MHZ 165FBGA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT71V35761S166BQGI8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 8/21页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 166MHZ 165FBGA |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 05/Nov/2008 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 |
| 存储容量： | 4.5M（128K x 36） |
| 速度： | 166MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 165-TBGA |
| 供应商设备封装： | 165-CABGA（13x15） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V35761S166BQGI8 |
IDT71V35761, 128K x 36, 3.3V Synchronous SRAMs with
3.3V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect
Commercial and Industrial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (V DD = 3.3V ± 5%)
Symbol
|I LI |
|I LZZ |
|I LO |
V OL
V OH
Parameter
Input Leakage Current
ZZ, LBO and JTAG Input Leakage Current (1)
Output Leakage Current
Output Low Voltage
Output High Voltage
Test Conditions
V DD = Max., V IN = 0V to V DD
V DD = Max., V IN = 0V to V DD
V OUT = 0V to V DDQ , Device Deselected
I OL = +8mA, V DD = Min.
I OH = -8mA, V DD = Min.
Min.
___
___
___
___
2.4
Max.
5
30
5
0.4
___
Unit
μA
μA
μA
V
V
NOTE:
5301 tbl 08
1. The LBO, TMS, TDI, TCK & TRST pins will be internally pulled to V DD and the ZZ pin will be internally pulled to V SS if they are not actively driven in the application.
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (1)
200MHz
183MHz
166 MHz
Symbol
I DD
Parameter
Operating Power Supply
Test Conditions
Device Selecte d, Outputs Open, V DD = Max.,
Com'l
360
Com'l
340
Ind
350
Com'l
320
Ind
330
Unit
mA
Current
V DDQ = Max., V IN > V IH or < V IL , f = f MAX (2)
I SB1
CMOS Standby Power
Device Deselected, Outputs Open, V DD = Max.,
30
30
35
30
35
mA
Supply Current
V DDQ = Max., V IN > V HD or < V LD , f = 0 (2,3)
I SB2
Clock Running Power
Device Deselected, Outputs Open, V DD = Max.,
130
120
130
110
120
mA
Supply Current
V DDQ = Max., V IN > V HD or < V LD , f = f MAX (2,3)
I ZZ
Full Sleep Mode Supply
ZZ > V HD, V DD = Max.
30
30
35
30
35
mA
Current
5301 tbl 09
NOTES:
1. All values are maximum guaranteed values.
2. At f = f MAX, inputs are cycling at the maximum frequency of read cycles of 1/t CYC while ADSC = LOW; f=0 means no input lines are changing.
3. For I/Os V HD = V DDQ - 0.2V, V LD = 0.2V. For other inputs V HD = V DD - 0.2V, V LD = 0.2V.
AC Test Conditions
(V DDQ = 3.3V)
Input Pulse Levels
0 to 3V
AC Test Load
V DDQ /2
50 Ω
Input Rise/Fall Times
2ns
I/O
Z 0 = 50 Ω
5301 drw 06
,
Δ tCD
Input Timing Reference Levels
Output Timing Reference Levels
AC Test Load
1.5V
1.5V
See Figure 1
5301 tbl 10
6
5
4
3
(Typical, ns)
2
1
Figure 1. AC Test Load
20 30 50
80 100
Capacitance (pF)
200
5301 drw 07
,
Figure 2. Lumped Capacitive Load, Typical Derating
8
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RMM31DTMD | CONN EDGECARD 62POS R/A .156 SLD |
| PSAA20R-480-R-CN4 | ADAPTER WALL R-SERIES 20W 48V |
| JMK212BJ106MD-T | CAP CER 10UF 6.3V 20% X5R 0805 |
| RSM31DTMD | CONN EDGECARD 62POS R/A .156 SLD |
| TAJA224K035RNJ | CAP TANT 0.22UF 35V 10% 1206 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71V35761S166BQI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 165FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V35761S166BQI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 165FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V35761S166PF | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V35761S166PF8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V35761S166PFG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。