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参数资料
| 型号： | IDT71V35761S200BG8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 21/21页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 200MHZ 119BGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 |
| 存储容量： | 4.5M（128K x 36） |
| 速度： | 200MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 119-BGA |
| 供应商设备封装： | 119-PBGA（14x22） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V35761S200BG8 |
IDT71V35761, 128K x 36, 3.3V Synchronous SRAMs with
3.3V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect
Datasheet Document History
Commercial and Industrial Temperature Ranges
12/31/99
Pg. 1, 4, 8, 11, 19
Created new datasheet from 71v3576 and 71v3578 datasheet.
Added industrial temperature range offering from 166MHz and 183MHz
04/04/00
Pg. 18
Pg. 4
Added 100 pin TQFP package Diagram Outline
Add BGA capacitance table; Add industrial tempertaure to table; Insert note to Absolute Max
Rating and Recommended Operating Temperature tables
06/01/00
Pg. 20
Add new package diagram outline, 13 x 15mm 165fBGA
Correct BG119 Package Diagram Outline
07/15/00
Pg. 7
Add note reference to BG119 pinout
10/25/00
Pg. 8
Pg. 20
Pg. 8
Add DNU reference note to BQ165 pinout
Update BG119 Package Diagram Outline Dimensions
Remove Preliminary status
Add reference note to N5 on the BQ165 pinout, reserved for JTAG TRST
04/22/03
06/30/03
03/02/09
06/01/10
Pg.4
Pg. 1,2,3,5-9
Pg. 5-8
Pg. 19,20
Pg. 21-23
Pg. 24
Pg. 21
Pg. 1-21
Updated 165 BGA table information from TBD to 7
Updated datasheet with JTAG information
Removed note for NC pins (38,39(PF package); L4, U4 (BG package) H2, N7 (BQ package))
requiring NC or connection to Vss.
Added two pages of JTAG Specification, AC Electrical, Definitions and Instructions
Removed old package information from the datasheet
Updated ordering information with JTAG and Y stepping information. Added information
regarding packages available IDT website.
Removed "IDT" from orderable part number
Added "Restricted hazardous substance device" to the ordering information.
Removed IDT71V35781S/SA from datasheet.
CORPORATE HEADQUARTERS
6024 Silver Creek Valley Road
San Jose, CA 95138
for SALES:
800-345-7015 or
408-284-8200
for Tech Support:
ipchelp@idt.com
800-345-7015
fax: 408-284-2775
www.idt.com
The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.
21
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMM28DRKF-S13 | CONN EDGECARD 56POS .156 EXTEND |
| IDT71V35761S183BGG8 | IC SRAM 4MBIT 183MHZ 119BGA |
| AMM36DRST | CONN EDGECARD 72POS DIP .156 SLD |
| IDT71V35761S183BG8 | IC SRAM 4MBIT 183MHZ 119BGA |
| RMC15DTEF | CONN EDGECARD 30POS .100 EYELET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71V35761S200BGG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 200MHZ 119BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT71V35761S200BGG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 200MHZ 119BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT71V35761S200BGGI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 200MHZ 119BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT71V35761S200BGGI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 200MHZ 119BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT71V35761S200BGI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 200MHZ 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
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