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参数资料
| 型号： | IDT71V35761S200BG8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 5/21页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 200MHZ 119BGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 |
| 存储容量： | 4.5M（128K x 36） |
| 速度： | 200MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 119-BGA |
| 供应商设备封装： | 119-PBGA（14x22） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V35761S200BG8 |
IDT71V35761, 128K x 36, 3.3V Synchronous SRAMs with
3.3V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect
Commercial and Industrial Temperature Ranges
Pin Configuration – 128K x 36
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81
I/O P3
I/O 16
I/O 17
V DDQ
V SS
I/O 18
I/O 19
I/O 20
I/O 21
V SS
V DDQ
I/O 22
I/O 23
V DD / NC (1)
V DD
NC
V SS
I/O 24
I/O 25
V DDQ
V SS
I/O 26
I/O 27
I/O 28
I/O 29
V SS
V DDQ
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
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21
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24
25
26
27
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
I/O P2
I/O 15
I/O 14
V DDQ
V SS
I/O 13
I/O 12
I/O 11
I/O 10
V SS
V DDQ
I/O 9
I/O 8
V SS
NC
V DD
ZZ (2)
I/O 7
I/O 6
V DDQ
V SS
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
V SS
V DDQ
I/O 30
I/O 31
I/O P4
28
29
30
53
52
51
I/O 1
I/O 0
I/O P1
,
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
5301drw 02
100 TQFP
Top View
NOTES:
1. Pin 14 can either be directly connected to V DD , or connected to an input voltage ≥ V IH , or left unconnected.
2. Pin 64 can be left unconnected and the device will always remain in active mode.
5
6.42
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PDF描述 |
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