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参数资料
| 型号： | IDT71V416L12PHGI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 9/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 12NS 44TSOP |
| 标准包装： | 26 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 4M (256K x 16) |
| 速度： | 12ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 44-TSOP II |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 71V416L12PHGI IDT71V416L12PHGI-ND |
IDT71V416S, IDT71V416L, 3.3V CMOS Static RAM
4 Meg (256K x 16-Bit)
Datasheet Document History
Commercial and Industrial Temperature Ranges
08/5/99
Pg 6
Updated to new format
Revised footnote for t CW on Write Cycle No. 1 diagram
08/31/99
03/24/00
Pg. 1–9
Pg. 9
Pg. 6
Added Industrial temperature range offering
Added Datasheet Document History
Changed note to Write cycle No. 1 according to footnotes
08/10/00
Pg. 1
Add 48 ball grid array package offering
Correct TTL to LVTTL
09/11/ 02
11/26/02
07/31/03
10/13/03
01/30/04
02/01/13:
Pg. 2
Pg. 8
Pg. 8
Pg. 8
Pg. 8
Pg. 1
Pg. 8
Updated TBD information for the 48 BGA Capacitance table
Added "Die Revision" to ordering information
Updated note, L10 speed grade commercial temperature only and updated die stepping from YF to Y.
Updated ordering information. Refer to 71V416YS and 71V416YL datasheet for latest generation die
step.
Added "Restricted hazardous substance device" to ordering information
Removed IDT reference to fabrication
Removed die revision information from the Ordering Information
CORPORATE HEADQUARTERS
6024 Silver Creek Valley Road
San Jose, CA 95138
for SALES:
800-345-7015 or
408-284-8200
for Tech Support:
ipchelp@idt.com
800-345-7015
fax: 408-284-2775
www.idt.com
The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.
9
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参数描述 |
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