- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录20161 > IDT71V432S10PF (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 1MBIT 10NS 100TQFP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT71V432S10PF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 15/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 1MBIT 10NS 100TQFP |
| 标准包装： | 72 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 |
| 存储容量： | 1M（32K x 32） |
| 速度： | 10ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.63 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 71V432S10PF |
IDT71V432, 32K x 32 CacheRAM
3.3V Synchronous SRAM with Burst Counter, Single Cycle Deselect
Non-Burst Read Cycle Timing Waveform (1,2,3,4)
CLK
ADSP or ADSC
Commercial and Industrial Temperature Ranges
ADDRESS
DATA OUT
Av
Aw
Ax
(Av)
Ay
(Aw)
Az
(Ax)
(Ay)
NOTES:
1. ZZ, CE , CS 1 , and OE are LOW for this cycle.
2. ADV , GW , BWE , BW x, and CS 0 are HIGH for this cycle.
3. (Ax) represents the data for address Ax, etc.
4. For read cycles, ADSP and ADSC function identically and are therefore interchangeable.
Non-Burst Write Cycle Timing Waveform (1,2,3,4)
CLK
ADSP
ADSC
3104 drw 11
ADDRESS
Av
Aw
Ax
Ay
Az
GW or
BWE and BWx
DATA IN
(Av)
(Aw)
(Ax)
(Ay)
(Az)
3104 drw 12
NOTES:
1. ZZ, CE and CS 1 are LOW for this cycle.
2. ADV , OE and CS 0 are HIGH for this cycle.
3. (A X ) represents the data for address A X , etc.
4. For write cycles, ADSP and ADSC have different limitations.
15
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TAS685M035P1C-F | CAP TANT 6.8UF 35V 20% AXIAL |
| ACB15DHBT | CONN EDGECARD 30POS R/A .050 DIP |
| GBB55DHBS | CONN EDGECARD 110PS R/A .050 SLD |
| GBB64DHAN | CONN EDGECARD 128PS R/A .050 SLD |
| PSAA60W-150-R-CN2 | ADAPTER DESKTOP CLASS II 60W 15V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71V432S10PF8 | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 10NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V432S10PFG | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 10NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V432S10PFG8 | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 10NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V432S5PF | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 5NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V432S5PF8 | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 5NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。