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参数资料
| 型号： | IDT71V432S10PF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 3/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 1MBIT 10NS 100TQFP |
| 标准包装： | 72 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 |
| 存储容量： | 1M（32K x 32） |
| 速度： | 10ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.63 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 71V432S10PF |
IDT71V432, 32K x 32 CacheRAM
3.3V Synchronous SRAM with Burst Counter, Single Cycle Deselect
Functional Block Diagram
LBO
ADV
Commercial and Industrial Temperature Ranges
INTERNAL
CE
Burst
Sequence
ADDRESS
CLK
ADSC
ADSP
Binary
Counter
CLR
2
Burst
Logic
A 0 *
A 1 *
15
32K x 32
BIT
MEMORY
ARRAY
.
CLK EN
A 0 , A 1
2
A 2 –A 14
A 0 –A 14
GW
15
ADDRESS
REGISTER
15
32
32
BWE
Byte 1
Write Register
Byte 1
BW 1
Byte 2
Write Register
8
Write Driver
Byte 2
Write Driver
BW 2
Byte 3
8
BW 3
BW 4
Write Register
Byte 4
Write Register
8
8
Byte 3
Write Driver
Byte 4
Write Driver
OUTPUT
REGISTER
CE
CS 0
D
Enable
Q
CS 1
Register
CLK EN
DATA INPUT
REGISTER
ZZ
Powerdown
D
Q
Enable
Delay
Register
OUTPUT
OE
BUFFER
32
I/O 0 –I/O 31
3104 drw 01
3
6.42
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