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参数资料
| 型号： | IDT71V546S133PFGI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 21/21页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP |
| 标准包装： | 72 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 ZBT |
| 存储容量： | 4.5M（128K x 36） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 71V546S133PFGI |
IDT71V546, 128K x 36, 3.3V Synchronous SRAM with
ZBT ? Feature, Burst Counter and Pipelined Outputs
Datasheet Document History
Commercial and Industrial Temperature Ranges
6/15/99
Updated to new format
9/13/99
12/31/99
11/22/05
02/23/07
10/18/08
Pg. 12
Pg. 20
Pg. 3, 12, 13, 19
Pg. 3,4
Pg. 20
Pg. 20
Pg. 20
Corrected ISB3 conditions
Added Datasheet Document History
Added Industrial Temperature range offerings
Moved Operating temperature & DC operating tables from page 3 to new page 5. Moved Absolute
rating & Capacitance tables from page 4 to new page 5. Add clarification note to Recommended
Operating Temperature and Absolute Max Ratings tables.
Updated order information with "Restricted hazardous substance device"
Added X generation die step to data sheet ordering information.
Removed "IDT" from orderable part number
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800-345-7015
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www.idt.com
The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.
21
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IDT71V546S133PFI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V546S133PFI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V546XS100PFG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100MHZ 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
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