参数资料
型号: IDT71V632S5PFI
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 3/19页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 2MBIT 5NS 100TQFP
标准包装: 144
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 同步
存储容量: 2M(64K x 32)
速度: 5ns
接口: 并联
电源电压: 3.135 V ~ 3.63 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 100-LQFP
供应商设备封装: 100-TQFP(14x14)
包装: 托盘
其它名称: 71V632S5PFI

IDT71V632, 64K x 32, 3.3V Synchronous SRAM
with Pipelined Outputs and Single Cycle Deselect
Functional Block Diagram
LBO
ADV
Commercial and Industrial Temperature Ranges
INTERNAL
CE
Burst
Sequence
ADDRESS
CLK
ADSC
ADSP
Binary
Counter
CLR
2
Burst
Logic
Q0
Q1
A 0 *
A 1 *
16
64K x 32
BIT
MEMORY
ARRAY
.
A 0 –A 15
GW
CLK EN
ADDRESS
REGISTER
16
2
A 0 , A 1
A 2 –A 15
32
32
BWE
Byte 1
Write Register
Byte 1
BW 1
BW 2
Byte 2
Write Register
8
8
Write Driver
Byte 2
Write Driver
Byte 3
BW 3
Write Register
8
Byte 3
Write Driver
BW 4
Byte 4
Write Register
8
Byte 4
Write Driver
OUTPUT
REGISTER
CE
D
CS0
CS 1
Q
Enable
Register
CLK EN
DATA INPUT
REGISTER
ZZ
Powerdown
D
Q
Enable
Delay
Register
OE
OE
OUTPUT
BUFFER
32
I/O 0 –I/O 31
3619 drw 01
3
6.42
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