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参数资料
| 型号： | IDT71V632S66PF |
| 英文描述： | x32 Fast Synchronous SRAM |
| 中文描述： | X32号，快速同步SRAM |
| 文件页数： | 1/24页 |
| 文件大小： | 741K |
| 代理商： | IDT71V632S66PF |
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V632S75PF | x32 Fast Synchronous SRAM |
| IDT7164L150TDB | 8K X 8 STANDARD SRAM, 150 ns, CDIP28 |
| IDT7164L35EB | 8K X 8 STANDARD SRAM, 35 ns, CDFP28 |
| IDT7164S25TC | 8K X 8 STANDARD SRAM, 25 ns, CDIP28 |
| 5962-8552510ZA | 8K X 8 STANDARD SRAM, 55 ns, CDIP28 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71V632S6PF | 功能描述:IC SRAM 2MBIT 6NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V632S6PF8 | 功能描述:IC SRAM 2MBIT 6NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V632S6PFG | 功能描述:IC SRAM 2MBIT 6NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
| IDT71V632S6PFG8 | 功能描述:IC SRAM 2MBIT 6NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
| IDT71V632S6PFGI | 功能描述:IC SRAM 2MBIT 6NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
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