参数资料
型号: IDT71V632S7PFI
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 16/19页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 2MBIT 7NS 100TQFP
标准包装: 144
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 同步
存储容量: 2M(64K x 32)
速度: 7ns
接口: 并联
电源电压: 3.135 V ~ 3.63 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 100-LQFP
供应商设备封装: 100-TQFP(14x14)
包装: 托盘
其它名称: 71V632S7PFI
IDT71V632, 64K x 32, 3.3V Synchronous SRAM
with Pipelined Outputs and Single Cycle Deselect
Non-Burst Write Cycle Timing Waveform
CLK
ADSP
ADSC
Commercial and Industrial Temperature Ranges
ADDRESS
Av
Aw
Ax
Ay
Az
GW
CE , CS 1
CS 0
DATA IN
(Av)
(Aw)
(Ax)
(Ay)
(Az)
,
3619 drw 12
NOTES:
1. ZZ input is LOW, ADV and OE are HIGH, and LBO is Don’t Care for this cycle.
2. (A X ) represents the data for address A X , etc.
3. Although only GW writes are shown, the functionality of BWE and BW x together is the same as GW .
4. For write cycles, ADSP and ADSC have different limitations.
16
6.42
相关PDF资料
PDF描述
ICL7126CQH+D IC ADC 3.5 DIGIT LP 44-PLCC
PSAC60W-480-R-CR2 ADAPTER DESKTOP CLASS II 60W 48V
PSAC60W-480-R-CR1 ADAPTER DESKTOP CLASS II 60W 48V
IDT71V632S7PF8 IC SRAM 2MBIT 7NS 100TQFP
ISL9008AIEFZ-T IC REG LDO 2.5V .15A SC70-5
相关代理商/技术参数
参数描述
IDT71V632S7PFI8 功能描述:IC SRAM 2MBIT 7NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
IDT71V632S8PF 功能描述:IC SRAM 2MBIT 8NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
IDT71V632S8PF8 功能描述:IC SRAM 2MBIT 8NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
IDT71V632S8PFG 功能描述:IC SRAM 2MBIT 8NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步,DDR II 存储容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA(13x15) 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ
IDT71V632S8PFG8 功能描述:IC SRAM 2MBIT 8NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040