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参数资料
| 型号： | IDT71V65603S100PFGI8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 4/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 100MHZ 100TQFP |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 ZBT |
| 存储容量： | 9M（256K x 36） |
| 速度： | 100MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x20） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V65603S100PFGI8 |
IDT71V65603, IDT71V65803, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
ZBT ? Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Functional Block Diagram
LBO
512x18 BIT
MEMORY ARRAY
Address A [0:18]
D
Q
Address
CE 1, CE2, CE 2
R/ W
D
Q
Control
CEN
ADV/ LD
BW x
DI
DO
Clock
OE
D
Clk
Q
Control Logic
Gate
Mux
D
Output Register
Q
Sel
5304 drw 01
,
Data I/O [0:15],
I/O P[1:2]
Recommended DC Operating
Conditions
Symbol
V DD
V DDQ
V SS
V IH
V IH
V IL
Parameter
Core Supply Voltage
I/O Supply Voltage
Supply Voltage
Input High Voltage - Inputs
Input High Voltage - I/O
Input Low Voltage
Min.
3.135
3.135
0
2.0
2.0
-0.3 (1)
Typ.
3.3
3.3
0
____
____
____
Max.
3.465
3.465
0
V DD +0.3
V DDQ +0.3
0.8
Unit
V
V
V
V
V
V
NOTES:
5304 tbl 04
1. V IL (min.) = –1.0V for pulse width less than t CYC /2, once per cycle.
6.42
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