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参数资料
| 型号： | IDT71V65603S100PFGI8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 7/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 100MHZ 100TQFP |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 ZBT |
| 存储容量： | 9M（256K x 36） |
| 速度： | 100MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x20） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V65603S100PFGI8 |
IDT71V65603, IDT71V65803, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with
ZBT ? Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Pin Configuration - 256K X 36, 119 BGA
1
2
3
4
5
6
7
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
V DDQ
NC
NC
I/O 16
I/O 17
V DDQ
I/O 20
I/O 22
V DDQ
I/O 24
I/O 25
V DDQ
I/O 29
I/O 31
NC
NC
A 6
CE 2
A 7
I/O P3
I/O 18
I/O 19
I/O 21
I/O 23
V DD
I/O 26
I/O 27
I/O 28
I/O 30
I/O P4
A 5
NC
A 4
A 3
A 2
V SS
V SS
V SS
BW 3
V SS
V DD(1)
V SS
BW 4
V SS
V SS
V SS
LBO
A 10
NC (2)
ADV/ LD
V DD
NC
CE 1
OE
A17
R/ W
V DD
CLK
NC
CEN
A 1
A 0
V DD
A 11
A 8
A 9
A 12
V SS
V SS
V SS
BW 2
V SS
V DD(1)
V SS
BW 1
V SS
V SS
V SS
V DD(1)
A 14
A 16
CE 2
A 15
I/O P2
I/O 13
I/O 12
I/O 11
I/O 9
V DD
I/O 6
I/O 4
I/O 3
I/O 2
I/O P1
A 13
NC
V DDQ
NC
NC
I/O 15
I/O 14
V DDQ
I/O 10
I/O 8
V DDQ
I/O 7
I/O 5
V DDQ
I/O 1
I/O 0
NC
ZZ
DNU
DNU
DNU
DNU
DNU
U
V DDQ
(3)
(3)
(3) (3)
Top View
(3)
V DDQ
5304 drw 13A
,
Pin Configuration - 512K X 18, 119 BGA
1
2
3
4
5
6
7
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
V DDQ
NC
NC
I/O 8
NC
V DDQ
NC
I/O 11
V DDQ
NC
I/O 13
V DDQ
I/O 15
NC
NC
NC
A 6
CE2
A 7
NC
I/O 9
NC
I/O 10
NC
V DD
I/O 12
NC
I/O 14
NC
I/O P2
A 5
A 10
A 4
A 3
A 2
V SS
V SS
V SS
BW 2
V SS
V DD(1)
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
LBO
A 15
NC(2)
ADV/ LD
V DD
NC
CE 1
OE
A18
R/ W
V DD
CLK
NC
CEN
A 1
A 0
V DD
NC
A 8
A 9
A 13
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V DD(1)
V SS
BW 1
V SS
V SS
V SS
V DD(1)
A 14
A 16
CE 2
A 17
I/O P1
NC
I/O 6
NC
I/O 4
V DD
NC
I/O 2
NC
I/O 1
NC
A 12
A 11
V DDQ
NC
NC
NC
I/O 7
V DDQ
I/O 5
NC
V DDQ
I/O 3
NC
V DDQ
NC
I/O 0
NC
ZZ
NOTES:
U
V DDQ
DNU (3)
DNU (3) DNU (3) DNU (3)
Top View
DNU (3)
V DDQ
5304 drw 13B
1. J3, J5, and R5 do not have to be directly connected to V DD as long as the input voltage is ≥ V IH .
2. A4 is reserved for future 16M.
3. DNU = Do not use. Pin U2, U3, U4, U5 and U6 are reserved for respective JTAG pins: TMS, TDI, TCK, TDO and TRST .
these pins to be left unconnected, tied LOW (V SS ), or tied HIGH (V DD ).
7
6.42
The current die revision allows
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| IDT71V65603S133BGG | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 119BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
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