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参数资料
| 型号： | IDT71V65603S133BG8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 15/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 133MHZ 119BGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 ZBT |
| 存储容量： | 9M（256K x 36） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 119-BGA |
| 供应商设备封装： | 119-PBGA（14x22） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V65603S133BG8 |
IDT71V65603, IDT71V65803, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with
ZBT ? Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (V DD = 3.3V +/-5%)
Symbol
|I LI |
|I LI |
|I LO |
VO L
V OH
Parameter
Input Leakage Current
LBO Input Leakage Current (1)
Output Leakage Current
Output Low Voltage
Output High Voltage
Test Conditions
V DD = Max., V IN = 0V to V DD
V DD = Max., V IN = 0V to V DD
V OUT = 0V to V DDQ , Device Deselected
I OL = +8mA, V DD = Min.
I OH = -8mA, V DD = Min.
Min.
___
___
___
___
2.4
Max.
5
30
5
0.4
___
Unit
μA
μA
μA
V
V
NOTE:
5304 tbl 21
1. The LBO pin will be internally pulled to V DD if it is not actively driven in the application and the ZZ pin will be internally pulled to Vss if not actively driven.
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (1) (V DD = 3.3V +/-5%)
150MHz
133MHz
100MHz
Unit
Symbol
Parameter
Test Conditions
Com'l
Ind
Com'l
Ind
Com'l
Ind
I DD
I SB1
I SB2
I SB3
I ZZ
Operating Power
Supply Current
CMOS Standby Power
Supply Current
Clock Running Power
Supply Current
Idle Power
Supply Current
Full Sleep Mode
Supply Current
Device Selected, Outputs Open,
ADV/ LD = X, V DD = Max.,
V IN > V IH or < V IL , f = f MAX (2)
Device Deselected, Outputs Open,
V DD = Max., V IN > V HD or < V LD ,
f = 0 (2,3)
Device Deselected, Outputs Open,
V DD = Max., V IN > V HD or < V LD ,
f = f MAX (2.3)
Device Selected, Outputs Open,
CEN > V IH , V DD = Max.,
V IN > V HD or < V LD , f = f MAX (2,3)
Device Selected, Outputs Open
CEN ≤ V IL , V DD = Max., ZZ ≥ V HD
V IN ≥ V HD or ≤ V LD , f = fMax (2,3)
325
40
120
40
40
345
60
140
60
60
300
40
110
40
40
320
60
130
60
60
250
40
100
40
40
270
60
120
60
60
mA
mA
mA
mA
mA
NOTES:
1. All values are maximum guaranteed values.
2. At f = f MAX, inputs are cycling at the maximum frequency of read cycles of 1/t CYC ; f=0 means no input lines are changing.
3. For I/Os V HD = V DDQ – 0.2V, V LD = 0.2V. For other inputs V HD = V DD – 0.2V, V LD = 0.2V.
5304 tbl 22
AC Test Load
V DDQ /2
50 Ω
AC Test Conditions
(V DDQ = 3.3V)
6
5
4
I/O
Z 0 = 50 Ω
5304 drw 04
Figure 1. AC Test Load
?
,
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Timing Reference Levels
0 to 3V
2ns
1.5V
1.5V
Δ tCD
3
(Typical, ns)
2
1
?
?
? ?
AC Test Load
See Figure 1
5304 tbl 23
20 30 50
80 100
Capacitance (pF)
200
5304 drw 05
,
Figure 2. Lumped Capacitive Load, Typical Derating
15
6.42
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PDF描述 |
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