参数资料
型号: IDT71V65603S133BG8
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 26/26页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 9MBIT 133MHZ 119BGA
标准包装: 1,000
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 同步 ZBT
存储容量: 9M(256K x 36)
速度: 133MHz
接口: 并联
电源电压: 3.135 V ~ 3.465 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 119-BGA
供应商设备封装: 119-PBGA(14x22)
包装: 带卷 (TR)
其它名称: 71V65603S133BG8
IDT71V65603, IDT71V65803, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
ZBT ? Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Datasheet Document History
12/31/99
Created new datasheet from obsolete devices IDT71V656 and IDT71V658
03/04/00
04/20/00
Pg. 1,14,15
Pg. 5,6
Removed 166MHz speed grade offering; Added 150MHz speed grade offering
Added JTAG test pins to TQFP pin configuration; removed footnote
05/23/00
Pg. 5,6
Pg. 7
Pg. 21
Add clarification note to Recommended Operating temperature and Absolute Max Ratings tables
Add note to BGA pin Configuration; correct typo within pinout
Insert TQFP Package Diagram Outline
Add new package offering, 13 x 15mm 165 fBGA
Pg. 23 Correction in BG 119 Package Diagram Outline
07/28/00
Add industrial temperature
Pg. 2 Correction V DDQ 3.3V I/O supply
Pg. 5-8 Remove JTAG offerings, refer to IDT71V656xx and IDT71V658xx device errata sheet
Pg. 7 Correct pin B2
Pg. 8 Change pin B1 to NC
Pg. 23 Update BG119 Package Diagram Outline
11/04/00
Pg. 8
Add note to pin N5 on BQ165 pinout, reserved for JTAG TRST
Pg. 15 Add Izz parameter to DC Electrical Characteristics
10/16/01
12/04/02
12/19/02
09/30/04
Pg. 16 Changed sub-header to include Commercial and Industrial Temperature Ranges. Corrected the TCH
from 22ns to 2.2ns and TSADV from 20ns to 2.0ns.
Pg. 1-25 Changed datasheet from Prelininary to final release.
Pg. 15 Added I temp to 150MHz.
Pg. 16 Corrected typo from 22 to 2.2.
Pg. 1,2,5,6, Removed JTAG functionality for current die revision.
7,8
Pg. 7 Corrected pin configuration on the x36, 119BGA. Switched pins I/O0 and I/OP1.
Pg. 5,6 Updated temperature T A note.
Pg. 7 Updated pin configuration for the 119BGA-reordered I/O signals on P7,N6,L6, K7,H6, G7, F6, E7, D6
(512K x18).
Pg. 25 Added "restricted hazardous substance device" to ordering information.
02/21/07
10/16/08
Pg.25
Pg. 25
Added Z generation die step to data sheet ordering information.
Removed "IDT" from orderable part number
6.42
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PDF描述
IDT71V65603S100BG8 IC SRAM 9MBIT 100MHZ 119BGA
4-1734839-7 CONN FPC 47POS .5MM RT ANG SMD
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ATF16V8BQL-15JU IC PLD 15NS 20PLCC
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参数描述
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IDT71V65603S133BGGI8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 119BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M(256K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x14) 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI
IDT71V65603S133BGI 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,异步 存储容量:128K(8K x 16) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x14) 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF