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参数资料
| 型号： | IDT71V65803S100BQI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 3/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 100MHZ 165FBGA |
| 标准包装： | 136 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 ZBT |
| 存储容量： | 9M（512K x 18） |
| 速度： | 100MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 165-TBGA |
| 供应商设备封装： | 165-CABGA（13x15） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 71V65803S100BQI |
IDT71V65603, IDT71V65803, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with
ZBT ? Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Functional Block Diagram
LBO
512x18 BIT
MEMORY ARRAY
Address A [0:18]
D
Q
Address
CE 1, CE2, CE 2
R/ W
D
Q
Control
CEN
ADV/ LD
BW x
DI
DO
Clock
OE
D
Clk
Q
Control Logic
Gate
Mux
D
Output Register
Q
Sel
5304 drw 01
,
Data I/O [0:15],
I/O P[1:2]
3
6.42
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PDF描述 |
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