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参数资料
| 型号： | IDT71V65903S85BGG |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 4/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 85NS 119BGA |
| 标准包装： | 84 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 ZBT |
| 存储容量： | 9M（512K x 18） |
| 速度： | 85ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 119-BGA |
| 供应商设备封装： | 119-PBGA（14x22） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 71V65903S85BGG |
IDT71V65703, IDT71V65903, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous ZBT? SRAMs with
3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Functional Block Diagram ? 512K x 18
LBO
512K x 18 BIT
Address A [0:18]
D
Q
MEMORY ARRAY
Address
CE 1 , CE 2 CE 2
R/ W
D
Q
Control
CEN
ADV/ LD
BW x
DI
DO
D
Clk
Q
Control Logic
Clock
OE
Gate
Mux
Sel
Recommended DC Operating
Conditions
Data I/O [0:15], I/O P[1:2]
5298 drw 01a
,
-0.3
Symbol
V DD
V DDQ
V SS
V IH
V IH
V IL
Parameter
Core Supply Voltage
I/O Supply Voltage
Ground
Input High Voltage - Inputs
Input High Voltage - I/O
Input Low Voltage
Min.
3.135
3.135
0
2.0
2.0
(1)
Typ.
3.3
3.3
0
____
____
____
Max.
3.465
3.465
0
V DD + 0.3
V DDQ + 0.3
0.8
Unit
V
V
V
V
V
V
5298 tbl 04
NOTE:
1. V IL (min.) = –1.0V for pulse width less than t CYC /2, once per cycle.
6.42
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