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参数资料
| 型号： | IDT71V65903S85PF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 14/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 85NS 100TQFP |
| 标准包装： | 72 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 ZBT |
| 存储容量： | 9M（512K x 18） |
| 速度： | 85ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 71V65903S85PF |
IDT71V65703, IDT71V65903, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous ZBT? SRAMs with
3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Read Operation with Chip Enable Used (1)
Cycle
n
n+1
n+2
n+3
n+4
n+5
n+6
n+7
n+8
n+9
Address
X
X
A 0
X
A 1
X
X
A 2
X
X
R/ W
X
X
H
X
H
X
X
H
X
X
ADV/ LD
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
CE 1 (2)
H
H
L
H
L
H
H
L
H
H
CEN
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
BW x
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
OE
X
X
X
L
X
L
X
X
L
X
I/O (3)
?
Z
Z
Q 0
Z
Q 1
Z
Z
Q 2
Z
Comments
Deselected.
Deselected.
Address A 0 and Control meet setup.
Address A 0 read out, Deselected.
Address A 1 and Control meet setup.
Address A 1 read out, Deselected.
Deselected.
Address A 2 and Control meet setup.
Address A 2 read out, Deselected.
Deselected.
5298 tbl 19
NOTES:
1. H = High; L = Low; X = Don’t Care; ? = Don’t Know; Z = High Impedance.
2. CE 2 timing transition is identical to CE 1 signal. CE 2 timing transition is identical but inverted to the CE 1 and CE 2 signals.
3. Device outputs are ensured to be in High-Z during device power-up.
Write Operation with Chip Enable Used (1)
Cycle
n
n+1
n+2
n+3
n+4
n+5
n+6
n+7
n+8
n+9
Address
X
X
A 0
X
A 1
X
X
A 2
X
X
R/ W
X
X
L
X
L
X
X
L
X
X
ADV /LD
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
CE (2)
H
H
L
H
L
H
H
L
H
H
CEN
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
BW x
X
X
L
X
L
X
X
L
X
X
OE
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
I/O
?
Z
Z
D 0
Z
D 1
Z
Z
D 2
Z
Comments
Deselected.
Deselected.
Address A 0 and Control meet setup
Data D 0 Write In, Deselected.
Address A 1 and Control meet setup
Data D 1 Write In, Deselected.
Deselected.
Address A 2 and Control meet setup
Data D 2 Write In, Deselected.
Deselected.
NOTES:
1. H = High; L = Low; X = Don’t Care; ? = Don’t Know; Z = High Impedance.
2. CE = L is defined as CE 1 = L, CE 2 = L and CE2 = H. CE = H is defined as CE 1 = H, CE 2 = H or CE 2 = L.
14
6.42
5298 tbl 20
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参数描述 |
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| IDT71V65903S85PFG8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 85NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT71V65903S85PFGI | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 85NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT71V65903S85PFGI8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 85NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
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