参数资料
型号: IDT71V67602S133BG
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 11/23页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 9MBIT 133MHZ 119BGA
产品变化通告: Product Discontinuation 05/Nov/2008
标准包装: 84
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 同步
存储容量: 9M(256K x 36)
速度: 133MHz
接口: 并联
电源电压: 3.135 V ~ 3.465 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 119-BGA
供应商设备封装: 119-PBGA(14x22)
包装: 托盘
其它名称: 71V67602S133BG
IDT71V67602, IDT71V67802, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous
SRAMs with 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect
Synchronous Write Function Truth Table (1, 2)
Commercial and Industrial Temperature Ranges
Write Byte 1
Write Byte 2
Write Byte 3
Write Byte 4
Operation
Read
Read
Write all Bytes
Write all Bytes
(3)
(3)
(3)
(3)
GW
H
H
L
H
H
H
H
H
BWE
H
L
X
L
L
L
L
L
BW 1
X
H
X
L
L
H
H
H
BW 2
X
H
X
L
H
L
H
H
BW 3
X
H
X
L
H
H
L
H
BW 4
X
H
X
L
H
H
H
L
NOTES:
1. L = V IL , H = V IH , X = Don’t Care.
2. BW 3 and BW 4 are not applicable for the IDT71V67802.
3. Multiple bytes may be selected during the same cycle.
Asynchronous Truth Table (1)
5311 tbl 12
Operation (2)
Read
Read
Write
Deselected
Sleep Mode
OE
L
H
X
X
X
ZZ
L
L
L
L
H
I/O Status
Data Out
High-Z
High-Z – Data In
High-Z
High-Z
Power
Active
Active
Active
Standby
Sleep
NOTES:
1. L = V IL , H = V IH , X = Don’t Care.
2. Synchronous function pins must be biased appropriately to satisfy operation requirements.
Interleaved Burst Sequence Table ( LBO =V DD )
5311 tbl 13
Sequence 1
Sequence 2
Sequence 3
Sequence 4
A1
A0
A1
A0
A1
A0
A1
A0
First Address
Second Address
Third Address
0
0
1
0
1
0
0
0
1
1
0
1
1
1
0
0
1
0
1
1
0
1
0
1
Fourth Address
(1)
1
1
1
0
0
1
0
0
NOTE:
1. Upon completion of the Burst sequence the counter wraps around to its initial state.
Linear Burst Sequence Table ( LBO =V SS )
5311 tbl 14
Sequence 1
Sequence 2
Sequence 3
Sequence 4
A1
A0
A1
A0
A1
A0
A1
A0
First Address
Second Address
Third Address
Fourth Address (1)
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
1
0
1
0
1
0
1
1
0
0
0
1
0
1
1
0
0
1
1
0
1
0
NOTE:
1. Upon completion of the Burst sequence the counter wraps around to its initial state.
11
6.42
5311 tbl 15
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