参数资料
型号: IDT71V67602S133BG
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 15/23页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 9MBIT 133MHZ 119BGA
产品变化通告: Product Discontinuation 05/Nov/2008
标准包装: 84
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 同步
存储容量: 9M(256K x 36)
速度: 133MHz
接口: 并联
电源电压: 3.135 V ~ 3.465 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 119-BGA
供应商设备封装: 119-PBGA(14x22)
包装: 托盘
其它名称: 71V67602S133BG
IDT71V67602, IDT71V67802, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous
Commercial and Industrial Temperature Ranges
SRAMs with 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect
Timing Waveform of Write Cycle No. 1 ? GW Controlled (1,2,3)
,
15
6.42
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PDF描述
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IDT71V65903S85PFI8 IC SRAM 9MBIT 85NS 100TQFP
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参数描述
IDT71V67602S133BG8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
IDT71V67602S133BGG 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 119BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,异步 存储容量:128K(8K x 16) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x14) 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF
IDT71V67602S133BGG8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 119BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M(256K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x14) 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI
IDT71V67602S133BGI 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
IDT71V67602S133BGI8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040