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参数资料
| 型号： | IDT71V67602S133BQ |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 7/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 133MHZ 165FBGA |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 05/Nov/2008 |
| 标准包装： | 136 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 |
| 存储容量： | 9M（256K x 36） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 165-TBGA |
| 供应商设备封装： | 165-CABGA（13x15） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 71V67602S133BQ |
IDT71V67602, IDT71V67802, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous
SRAMs with 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect
Pin Configuration ? 256K x 36, 119 BGA
Commercial and Industrial Temperature Ranges
1
2
3
4
5
6
7
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
V DDQ
NC
NC
I/O 16
I/O 17
V DDQ
I/O 20
I/O 22
V DDQ
I/O 24
I/O 25
V DDQ
I/O 29
I/O 31
A 6
CS 0 (4)
A 7
I/O P3
I/O 18
I/O 19
I/O 21
I/O 23
V DD
I/O 26
I/O 27
I/O 28
I/O 30
I/O P4
A 4
A 3
A 2
V SS
V SS
V SS
BW 3
V SS
NC
V SS
BW 4
V SS
V SS
V SS
ADSP
ADSC
V DD
NC
CE
OE
ADV
GW
V DD
CLK
NC
BWE
A 1
A 0
A 8
A 9
A 12
V SS
V SS
V SS
BW 2
V SS
NC
V SS
BW 1
V SS
V SS
V SS
A 16
A 17
A 15
I/O P2
I/O 13
I/O 12
I/O 11
I/O 9
V DD
I/O 6
I/O 4
I/O 3
I/O 2
I/O P1
V DDQ
NC
NC
I/O 15
I/O 14
V DDQ
I/O 10
I/O 8
V DDQ
I/O 7
I/O 5
V DDQ
I/O 1
I/O 0
R
T
U
NC
NC
V DDQ
A 5
NC
DNU (3)
LBO
A 10
DNU (3)
V DD
A 11
DNU (3)
V DD / NC (1)
A 14
DNU (3)
A 13
NC
DNU (3)
NC
ZZ (2)
V DDQ
,
Top View
Pin Configuration ? 512K x 18, 119 BGA
5311 drw 04
1
2
3
4
5
6
7
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
V DDQ
NC
NC
I/O 8
NC
V DDQ
NC
I/O 11
V DDQ
NC
I/O 13
V DDQ
I/O 15
NC
A 6
CS0 (4)
A 7
NC
I/O 9
NC
I/O 10
NC
V DD
I/O 12
NC
I/O 14
NC
I/O P2
A 4
A 3
A 2
V SS
V SS
V SS
BW 2
V SS
NC
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
ADSP
ADSC
V DD
NC
CE
OE
ADV
GW
V DD
CLK
NC
BWE
A 1
A 0
A 8
A 9
A 13
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
NC
V SS
BW 1
V SS
V SS
V SS
A 16
A 18
A 17
I/O P1
NC
I/O 6
NC
I/O 4
V DD
NC
I/O 2
NC
I/O 1
NC
V DDQ
NC
NC
NC
I/O 7
V DDQ
I/O 5
NC
V DDQ
I/O 3
NC
V DDQ
NC
I/O 0
R
T
U
NC
NC
V DDQ
A 5
A 10
DNU (3)
LBO
A 15
DNU (3)
V DD
NC
DNU (3)
V DD / NC
A 14
DNU (3)
(1)
A 12
A 11
DNU (3)
NC
ZZ (2)
V DDQ
,
5311 drw 05
Top View
NOTES:
1. R5 can either be directly connected to V DD , or connected to an input voltage ≥ V IH , or left unconnected.
2. T7 can be left unconnected and the device will always remain in active mode.
3. Pin U6 will be internally pulled to V DD if not actively driven. To disable the TAP controller without interfering with normal operation, TRST should be tied low
and TCK, TDI, and TMS should be pulled through a resistor to 3.3V. TDO should be left unconnected.
4. On future 18M device CS 0 will be removed, B2 will be be used for address expansion.
7
6.42
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PDF描述 |
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| HR-4/5AUF2X5 | BATT PACK 12.0V 4/5A NIMH |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IDT71V67602S133BQG | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 165FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V67602S133BQG8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 165FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V67602S133BQGI | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 165FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V67602S133BQGI8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 165FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
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