参数资料
型号: IDT71V67803S133BG8
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 8/23页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 9MBIT 133MHZ 119BGA
标准包装: 1,000
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 同步
存储容量: 9M(512K x 18)
速度: 133MHz
接口: 并联
电源电压: 3.135 V ~ 3.465 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 119-BGA
供应商设备封装: 119-PBGA(14x22)
包装: 带卷 (TR)
其它名称: 71V67803S133BG8
IDT71V67603, IDT71V67803, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with
3.3V I/O, Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect Commercial and Industrial Temperature Ranges
Pin Configuration – 256K x 36, 165 fBGA
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
NC
A
B
C
D
E
F
G
(3)
NC
I/O P3
I/O 17
I/O 19
I/O 21
I/O 23
A 7
A 6
NC
I/O 16
I/O 18
I/O 20
I/O 22
CE
CS 0
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
BW 3
BW 4
V SS
V DD
V DD
V DD
V DD
BW 2
BW 1
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
CS 1
CLK
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
BWE
GW
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
ADSC
OE
V SS
V DD
V DD
V DD
V DD
ADV
ADSP
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
A 8
A 9
NC
I/O 15
I/O 13
I/O 11
I/O 9
NC
NC (3)
I/O P2
I/O 14
I/O 12
I/O 10
I/O 8
H
V DD
(1)
NC
NC
V DD
V SS
V SS
V SS
V DD
NC
NC
ZZ (2)
NC
NC
DNU
DNU
NC
DNU
DNU
J
K
L
M
N
P
R
I/O 25
I/O 27
I/O 29
I/O 31
I/O P4
NC
LBO
I/O 24
I/O 26
I/O 28
I/O 30
NC
(3)
(3)
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
A 5
A 4
V DD
V DD
V DD
V DD
V SS
A 2
A 3
V SS
V SS
V SS
V SS
NC
(4)
(4)
V SS
V SS
V SS
V SS
(3)
A 1
A 0
V SS
V SS
V SS
V SS
NC
(4)
(4)
V DD
V DD
V DD
V DD
V SS
A 10
A 11
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
A 13
A 12
I/O 7
I/O 5
I/O 3
I/O 1
NC
A 14
A 15
I/O 6
I/O 4
I/O 2
I/O 0
I/O P1
A 17
A 16
5310 tbl 17a
Pin Configuration – 512K x 18, 165 fBGA
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
NC
A
B
C
D
E
F
G
(3)
NC
NC
NC
NC
NC
NC
A 7
A 6
NC
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
CE
CS 0
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
BW 2
NC
V SS
V DD
V DD
V DD
V DD
NC
BW 1
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
CS 1
CLK
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
BWE
GW
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
ADSC
OE
V SS
V DD
V DD
V DD
V DD
ADV
ADSP
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
A 8
A 9
NC
NC
NC
NC
NC
A 10
NC (3)
I/O P1
I/O 7
I/O 6
I/O 5
I/O 4
H
V DD
(1)
NC
NC
V DD
V SS
V SS
V SS
V DD
NC
NC
ZZ (2)
J
K
L
M
N
P
R
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
I/O P2
NC
LBO
NC
NC
NC
NC
NC
NC (3)
NC (3)
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
A 5
A 4
V DD
V DD
V DD
V DD
V SS
A 2
A 3
V SS
V SS
V SS
V SS
NC
DNU (4)
DNU (4)
V SS
V SS
V SS
V SS
NC (3)
A 1
A 0
V SS
V SS
V SS
V SS
NC
DNU (4)
DNU (4)
V DD
V DD
V DD
V DD
V SS
A 11
A 12
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
A 14
A 13
I/O 3
I/O 2
I/O 1
I/O 0
NC
A 15
A 16
NC
NC
NC
NC
NC
A 18
A 17
5310 tbl 17b
NOTES:
1. H1 can either be directly connected to V DD , or connected to an input voltage ≥ V IH , or left unconnected.
2. H11 can be left unconnected and the device will always remain in active mode.
3. Pin N6, B11, A1, R2 and P2 are reserved for 18M, 36M, 72M, and 144M and 288M respectively.
4. DNU= Do not use; these signals can either be left unconnected or tied to Vss.
8
6.42
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IDT71V67803S133BQG8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 165FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M(256K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x14) 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI