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参数资料
| 型号： | IDT71V67903S80PFI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 4/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 80NS 100TQFP |
| 标准包装： | 72 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 |
| 存储容量： | 9M（512K x 18） |
| 速度： | 80ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 71V67903S80PFI |
IDT71V67703, IDT71V67903, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with
3.3V I/O, Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect Commercial and Industrial Temperature Ranges
Absolute Maximum Ratings (1)
Symbol Rating Commercial
Unit
Recommended Operating
Temperature Supply Voltage
V TERM
(2)
Terminal Voltage with
-0.5 to +4.6
V
Grade
Temperature (1)
V SS
V DD
V DDQ
Respect to GND
Commercial
0°C to +70°C
0V
3.3V±5%
3.3V±5%
V TERM (3,6)
Terminal Voltage with
Respect to GND
-0.5 to V DD
V
Industrial
-40°C to +85°C
0V
3.3V±5%
3.3V±5%
V TERM (4,6)
Terminal Voltage with
-0.5 to V DD +0.5
V
NOTE:
5309 tbl 04
Respect to GND
1. T A is the "instant on" case temperature.
T A
C
V TERM (5,6)
(7)
Terminal Voltage with
Respect to GND
Operating Temperature
-0.5 to V DDQ +0.5
-0 to +70
V
o
Recommended DC Operating
Conditions
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
T BIAS
T STG
Temperature
Under Bias
Storage
-55 to +125
-55 to +125
o
o
C
C
V DD
V DDQ
Core Supply Voltage
I/O Supply Voltage
3.135
3.135
3.3
3.3
3.465
3.465
V
V
Temperature
V SS
Supply Voltage
0
0
0
V
-0.3
P T
I OUT
NOTES:
Power Dissipation
DC Output Current
2.0
50
W
mA
5309 tbl 03
V IH
V IH
V IL
Input High Voltage - Inputs
Input High Voltage - I/O
Input Low Voltage
2.0
2.0
(1)
____
____
____
V DD +0.3
V DDQ +0.3
0.8
V
V
V
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional
operation of the device at these or any other conditions above those indicated
in the operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute
maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.
2. V DD terminals only.
3. V DDQ terminals only.
4. Input terminals only.
5. I/O terminals only.
6. This is a steady-state DC parameter that applies after the power supplies have
ramped up. Power supply sequencing is not necessary; however, the voltage
on any input or I/O pin cannot exceed V DDQ during power supply ramp up.
7. T A is the "instant on" case temperature.
100-Pin TQFP Capacitance
(T A = +25° C, f = 1.0MHz)
NOTE:
1. V IL (min) = -1.0V for pulse width less than t CYC/2 , once per cycle.
165 fBGA Capacitance
(T A = +25° C, f = 1.0MHz)
5309 tbl 05
Symbol
C IN
C I/O
Parameter (1)
Input Capacitance
I/O Capacitance
Conditions
V IN = 3dV
V OUT = 3dV
Max.
5
7
Unit
pF
pF
Symbol
C IN
C I/O
Parameter (1)
Input Capacitance
I/O Capacitance
Conditions
V IN = 3dV
V OUT = 3dV
Max.
7
7
Unit
pF
pF
119 BGA Capacitance
(T A = +25° C, f = 1.0MHz)
5309 tbl 07
5309 tbl 07b
Symbol
C IN
C I/O
Parameter (1)
Input Capacitance
I/O Capacitance
Conditions
V IN = 3dV
V OUT = 3dV
Max.
7
7
Unit
pF
pF
5309 tbl 07a
NOTE:
1. This parameter is guaranteed by device characterization, but not production tested.
6.42
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PDF描述 |
|---|---|
| M24308/4-4 | CONN D-SUB PLUG 37POS CRIMP |
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| IDT71V67903S80PF8 | IC SRAM 9MBIT 80NS 100TQFP |
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| GRM1555C1H430JZ01D | CAP CER 43PF 50V 5% NP0 0402 |
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参数描述 |
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| IDT71V67903S85BQ8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 85NS 165FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
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