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参数资料
| 型号： | IDT71V67903S80PFI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 8/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 80NS 100TQFP |
| 标准包装： | 72 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 |
| 存储容量： | 9M（512K x 18） |
| 速度： | 80ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 71V67903S80PFI |
IDT71V67703, IDT71V67903, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with
3.3V I/O, Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect Commercial and Industrial Temperature Ranges
Pin Configuration ? 256K x 36, 165 fBGA
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
NC
NC
DNU
DNU
A
B
C
D
E
F
G
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J
K
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M
N
P
R
(3)
NC
I/O P3
I/O 17
I/O 19
I/O 21
I/O 23
V SS (1)
I/O 25
I/O 27
I/O 29
I/O 31
I/O P4
NC
LBO
A 7
A 6
NC
I/O 16
I/O 18
I/O 20
I/O 22
NC
I/O 24
I/O 26
I/O 28
I/O 30
NC
(3)
NC (3)
CE
CS 0
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
NC
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
A 5
A 4
BW 3
BW 4
V SS
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V SS
A 2
A 3
BW 2
BW 1
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
NC
(4)
DNU (4)
CS 1
CLK
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
NC (3)
A 1
A 0
BWE
GW
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
NC
(4)
DNU (4)
ADSC
OE
V SS
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V SS
A 10
A 11
ADV
ADSP
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
NC
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
A 13
A 12
A 8
A 9
NC
I/O 15
I/O 13
I/O 11
I/O 9
NC
I/O 7
I/O 5
I/O 3
I/O 1
NC
A 14
A 15
NC
NC (3)
I/O P2
I/O 14
I/O 12
I/O 10
I/O 8
ZZ (2)
I/O 6
I/O 4
I/O 2
I/O 0
I/O P1
A 17
A 16
5309tbl 17a
Pin Configuration ? 512K x 18, 165 fBGA
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
NC
NC
DNU
DNU
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
NC (3)
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V SS (1)
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
I/O P2
NC
LBO
A 7
A 6
NC
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
NC
NC
NC
NC
NC
NC
(3)
NC (3)
CE
CS 0
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
NC
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
A 5
A 4
BW 2
NC
V SS
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V SS
A 2
A 3
NC
BW 1
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
NC
(4)
DNU (4)
CS 1
CLK
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
(3)
A 1
A 0
BWE
GW
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
NC
(4)
DNU (4)
ADSC
OE
V SS
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V SS
A 11
A 12
ADV
ADSP
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
NC
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
A 14
A 13
A 8
A 9
NC
NC
NC
NC
NC
NC
I/O 3
I/O 2
I/O 1
I/O 0
NC
A 15
A 16
A 10
NC (3)
I/O P1
I/O 7
I/O 6
I/O 5
I/O 4
ZZ (2)
NC
NC
NC
NC
NC
A 18
A 17
5309 tbl 17b
NOTES:
1. H1 does not have to be directly connected to V SS , as long as the input voltage is < V IL.
2. H11 can be left unconnected and the device will always remain in active mode.
3. Pin N6, B11, A1, R2 and P2 are reserved for 18M, 36M, 72M, and 144M and 288M respectively.
4. DNU= Do not use; these signals can either be left unconnected or tied to Vss.
8
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M24308/4-4 | CONN D-SUB PLUG 37POS CRIMP |
| GBM24DRUH | CONN EDGECARD 48POS DIP .156 SLD |
| IDT71V67903S80PF8 | IC SRAM 9MBIT 80NS 100TQFP |
| M24308/2-11 | CONN D-SUB RCPT HD 15P SER 90 |
| GRM1555C1H430JZ01D | CAP CER 43PF 50V 5% NP0 0402 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71V67903S80PFI8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 80NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V67903S85BG | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 85NS 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT71V67903S85BG8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 85NS 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT71V67903S85BQ | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 85NS 165FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT71V67903S85BQ8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 85NS 165FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
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