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参数资料
| 型号： | IDT72V2101L20PF8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 11/27页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FIFO SS 131X18 20NS 64QFP |
| 标准包装： | 750 |
| 系列： | 72V |
| 功能： | 同步 |
| 存储容量： | 2.3K（131 x 18） |
| 数据速率： | 50MHz |
| 访问时间： | 20ns |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 64-LQFP |
| 供应商设备封装： | 64-TQFP（14x14） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 72V2101L20PF8 |
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19
COMMERCIAL AND INDUSTRIAL
TEMPERATURE RANGES
IDT72V2101/72V2111 3.3V HIGH DENSITY CMOS
SUPERSYNC FIFOTM 262,144 x 9, 524,288 x 9
Figure
9.
Write
Timing
(First
Word
Fall
Through
Mode)
NOTES:
1.
tSKEW1
is
the
minimum
time
between
a
rising
WCLK
edge
and
a
rising
RCLK
edge
to
guarantee
that
OR
will
go
LOW
after
two
RCLK
cycles
plus
t
REF
.If
the
time
between
the
rising
edge
of
WCLK
and
the
rising
edge
of
RCLK
is
less
than
tSKEW1
,then
OR
assertion
may
be
delayed
one
extra
RCLK
cycle.
2.
tSKEW2
is
the
minimum
time
between
a
rising
WCLK
edge
and
a
rising
RCLK
edge
to
guarantee
that
PAE
will
go
HIGH
after
one
RCLK
cycle
plus
t
PAE
.If
the
time
between
the
rising
edge
of
WCLK
and
the
rising
edge
of
RCLK
is
less
than
tSKEW2
,then
the
PAE
deassertion
may
be
delayed
one
extra
RCLK
cycle.
3.
LD
=
HIGH,
OE
=
LOW
4.
n=
PAE
offset,
m
=
PAF
offset
and
D
=
maximum
FIFO
depth.
5.
D
=
262,145
for
the
IDT72V2101
and
524,289
for
the
IDT72V2111.
6.
First
word
latency:
t
SKEW1
+
2*T
RCLK
+
t
REF
.
W
1
W
2
W
4
W
[n
+2]
W
[D-m-1]
W
[D-m-2]
W
[D-1]
W
D
W
[n+3]
W
[n+4]
W
[D-m]
W
[D-m+1]
WCLK
WEN
D
0
-
D
8
RCLK
tDH
tDS
tENS
tSKEW1
(1)
REN
Q
0
-Q
8
PAF
HF
PAE
IR
tDS
tSKEW2
tA
tREF
OR
tHF
tPAF
tWFF
W
[D-m+2]
W
1
tENH
4669
drw
12
DATA
IN
OUTPUT
REGISTER
(2)
W
3
1
2
3
1
]
[
W
]
[
W
]
[
W
1
2
tPAE
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