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参数资料
| 型号： | IDT72V2105L10PF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 11/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FIFO SUPERSYNCII 10NS 64-TQFP |
| 标准包装： | 45 |
| 系列： | 72V |
| 功能： | 同步 |
| 存储容量： | 4.7Mb（262k x 18） |
| 访问时间： | 10ns |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 64-LQFP |
| 供应商设备封装： | 64-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 72V2105L10PF |
19
COMMERCIAL AND INDUSTRIAL TEMPERATURE RANGES
IDT72V295/72V2105 3.3V HIGH DENSITY CMOS
SUPERSYNC FIFOTM 131,072 x 18, 262,144 x 18
Figure
10.
Read
Timing
(First
Word
Fall
Through
Mode)
NOTES:
1.
t
SKEW1
is
the
minimum
time
between
a
rising
RCLK
edge
and
a
rising
WCLK
edge
to
guarantee
that
IR
will
go
LOW
after
one
WCLK
cycle
plus
t
WFF
.If
the
time
between
the
rising
edge
of
RCLK
and
the
rising
edge
of
WCLK
is
less
than
t
SKEW1
,
then
the
IR
assertion
may
be
delayed
one
extra
WCLK
cycle.
2.
tSKEW2
is
the
minimum
time
between
a
rising
RCLK
edge
and
a
rising
WCLK
edge
to
guarantee
that
PAF
will
go
HIGH
after
one
WCLK
cycle
plus
t
PAF
.
If
the
time
between
the
rising
edge
of
RCLK
and
the
rising
edge
of
WCLK
is
less
than
tSKEW2
,then
the
PAF
deassertion
may
be
delayed
one
extra
WCLK
cycle.
3.
LD
=
HIGH
4.
n=
PAE
Offset,
m
=
PAF
offset
and
D
=
maximum
FIFO
depth.
5.
D
=
131,073
for
IDT72V295
and
262,145
for
IDT72V2105.
WCLK
12
WEN
D
0
-
D
17
RCLK
tENS
REN
Q
0
-Q
17
PAF
HF
PAE
IR
OR
W
1
W
1
W
2
W
3
W
m+2
W
[m+3]
tOHZ
tSKEW1
(1)
tENH
tDS
tOE
tA
tPAF
tWFF
tENS
OE
tSKEW2
(2)
W
D
4668
drw
13
tPAE
W
[D-n]
W
[D-n-1]
tA
tHF
]
[
W
]
[
W
tREF
W
[D-1]
W
D
tA
W
[D-n+1]
W
[m+4]
W
[D-n+2]
tENS
1
tDH
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