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参数资料
| 型号： | IDT72V3612L12PF |
| 厂商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | FIFO |
| 英文描述： | 3.3 VOLT CMOS SyncBiFIFO-TM 64 x 36 x 2 |
| 中文描述： | 64 X 36 BI-DIRECTIONAL FIFO, 8 ns, PQFP120 |
| 封装： | TQFP-120 |
| 文件页数： | 25/25页 |
| 文件大小： | 240K |
| 代理商： | IDT72V3612L12PF |
9
IDT72V3612 3.3V, CMOS SyncBiFIFOTM
64 x 36 x 2
COMMERCIALTEMPERATURERANGE
SWITCHING CHARACTERISTICS OVER RECOMMENDED RANGES OF
SUPPLY VOLTAGE AND OPERATING FREE-AIR TEMPERATURE, CL = 30pF
IDT72V3612L12
IDT72V3612L15
IDT72V3612L20
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
tA
Access Time, CLKA
↑ to A0-A35 and CLKB↑ to B0-B35
1
8
2
10
2
12
ns
tWFF
Propagation Delay Time, CLKA
↑ to FFA and CLKB↑ to FFB
182
10
2
12
ns
tREF
Propagation Delay Time, CLKA
↑ to EFA and CLKB↑ to EFB
182
10
2
12
ns
tPAE
Propagation Delay Time, CLKA
↑ to AEA and CLKB↑ to AEB
182
10
2
12
ns
tPAF
Propagation Delay Time, CLKA
↑ to AFA and CLKB↑ to AFB
182
10
2
12
ns
tPMF
Propagation Delay Time, CLKA
↑ to MBF1 LOW or MBF2
1819
1
12
ns
HIGH and CLKB
↑ to MBF2 LOW or MBF1 HIGH
tPMR
Propagation Delay Time, CLKA
↑ to B0-B35(1)and CLKB↑
282
10
2
12
ns
to A0-A35(2)
tMDV
Propagation Delay Time, MBA to A0-A35 valid and MBB to
1
8
1
10
1
11.5
ns
B0-B35 valid
tPDPE
Propagation Delay Time, A0-A35 valid to
PEFA valid; B0-B35
2
8
2
10
2
11
ns
valid to
PEFB valid
tPOPE
Propagation Delay Time, ODD/
EVEN to PEFA and PEFB
282
10
2
12
ns
tPOPB(3)
Propagation Delay Time, ODD/
EVEN to parity bits (A8, A17,
2
8
2
10
2
12
ns
A26, A35) and (B8, B17, B26, B35)
tPEPE
Propagation Delay Time, W/
RA, CSA, ENA, MBA or PGA to
1
8
1
10
1
12
ns
PEFA; W/RB, CSB, ENB. MBB, PGB to PEFB
tPEPB(3)
Propagation Delay Time, W/
RA, CSA, ENA, MBA or PGA to
2
8
2
10
2
12
ns
parity bits (A8, A17, A26, A35); W/
RB, CSB, ENB. MBB or PGB
to parity bits (B8, B17, B26, B35)
tRSF
Propagation Delay Time,
RST to (AEA, AEB) LOW and
1
10
1
15
1
20
ns
(
AFA, AFB, MBF1, MBF2) HIGH
tEN
Enable Time,
CSA and W/RA LOW to A0-A35 active and
2
6
2
10
2
12
ns
CSB LOW and W/RB HIGH to B0-B35 active
tDIS
Disable Time,
CSA or W/RA HIGH to A0-A35 at high-
1618
1
9
ns
impedance and
CSB HIGH or W/RB LOW to B0-B35 at
high impedance
NOTES:
1. Writing data to the mail1 register when the B0-B35 outputs are active and MBB is HIGH.
2. Writing data to the mail2 register when the A0-A35 outputs are active and MBA is HIGH.
3. Only applies when reading data from a mail register.
Commercial: Vcc=3.3V± 0.30V; for 12ns (83MHz) operation, Vcc=3.3V ±0.15V; TA = 0
°C to +70°C; JEDEC JESD8-A compliant
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