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参数资料
| 型号： | IGB15N60T |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology |
| 中文描述： | 在戴低损失和场终止IGBT技术 |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 364K |
| 代理商： | IGB15N60T |
TrenchStop Series
IGB15N60T
q
Power Semiconductors
5
Rev. 2.1 Dec-04
I
C
,
C
0V
1V
2V
3V
0A
5A
10A
15A
20A
25A
30A
35A
40A
15V
7V
9V
11V
13V
V
GE
=20V
I
C
,
C
0V
1V
2V
3V
0A
5A
10A
15A
20A
25A
30A
35A
40A
15V
7V
9V
11V
13V
V
GE
=20V
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 5. Typical output characteristic
(
T
j
= 25°C)
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 6. Typical output characteristic
(
T
j
= 175°C)
I
C
,
C
0V
2V
4V
6V
8V
0A
5A
10A
15A
20A
25A
30A
35A
25°C
T
J
=175°C
V
C
C
-
E
0°C
50°C
100°C
150°C
0.0V
0.5V
1.0V
1.5V
2.0V
2.5V
I
C
=15A
I
C
=30A
I
C
=7.5A
V
GE
,
GATE-EMITTER
VOLTAGE
Figure 7. Typical transfer characteristic
(V
CE
=20V)
T
J
,
JUNCTION TEMPERATURE
Figure 8. Typical collector-emitter
saturation voltage as a function of
junction temperature
(
V
GE
= 15V)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IGB50N60T | LOW LOSS IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY |
| IGP50N60T | LOW LOSS IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY |
| IGW50N60T | LOW LOSS IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY |
| IGW15T120 | Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop Technology |
| IGW25T120 | Aluminum Electrolytic Radial Leaded General Purpose Capacitor; Capacitance: 47uF; Voltage: 100V; Case Size: 10x12.5 mm; Packaging: Bulk |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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