- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录384481 > IGW25T120 (INFINEON TECHNOLOGIES AG) Aluminum Electrolytic Radial Leaded General Purpose Capacitor; Capacitance: 47uF; Voltage: 100V; Case Size: 10x12.5 mm; Packaging: Bulk PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IGW25T120 |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | Aluminum Electrolytic Radial Leaded General Purpose Capacitor; Capacitance: 47uF; Voltage: 100V; Case Size: 10x12.5 mm; Packaging: Bulk |
| 中文描述： | 在戴低损失和场终止IGBT技术 |
| 文件页数： | 9/12页 |
| 文件大小： | 412K |
| 代理商： | IGW25T120 |
IGW25T120
^
TrenchStop Series
Power Semiconductors
9
Preliminary / Rev. 1 Jul-02
V
C
,
C
-
E
0V
200V
400V
600V
0A
20A
40A
60A
1.5us
1us
0.5us
0us
I
C
V
CE
I
C
,
C
0V
200V
400V
600V
0A
20A
40A
60A
1.5us
1us
0.5us
0us
I
C
V
CE
t
,
TIME
t
,
TIME
Figure 21. Typical turn on behavior
(V
GE
=0/15V,
R
G
=22
,
T
j
= 150
°
C,
Dynamic test circuit in Figure E)
Figure 22. Typical turn off behavior
(V
GE
=15/0V,
R
G
=22
,
T
j
= 150
°
C,
Dynamic test circuit in Figure E)
Z
t
,
T
10μs
100μs
1ms
10ms
100ms
10
-3
K/W
10
-2
K/W
10
-1
K/W
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D
=0.5
t
P
,
PULSE WIDTH
Figure 23. IGBT transient thermal resistance
(
D = t
p
/
T
)
R
,(K/W )
0.229
0.192
0.174
0.055
R
1
τ
,
(s)
=
1.10*10
-1
1.56*10
-2
1.35*10
-3
1.52*10
-4
C
1
=
τ
1
/
R
1
R
2
C
2
=
τ
2
/
R
2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IH401A | QUAD Varafet Analog Switch |
| IH4815 | DC/DC Converters |
| IH2403 | DC/DC Converters |
| IH2405 | DC/DC Converters |
| IH2409 | DC/DC Converters |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IGW25T120_09 | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:Low Loss IGBT in TrenchStop? and Fieldstop technology |
| IGW25T120FKSA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT 1200V 50A 190W TO247-3 |
| IGW25T120XK | 制造商:Infineon Technologies 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
| IGW30N100T | 功能描述:IGBT 晶体管 LoLoss IGBT TrnchStp Fieldstop tech RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IGW30N100TFKSA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。