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参数资料
| 型号： | IL710-3E |
| 厂商： | NVE Corp/Isolation Products |
| 文件页数： | 2/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | ISOLATOR HS MAGN DIGITAL 8SOIC |
| 产品培训模块： | IsoLoop® Isolator |
| 产品目录绘图： | IL710 Circuit |
| 标准包装： | 100 |
| 系列： | IsoLoop® |
| 输入 - 1 侧/2 侧： | 1/0 |
| 通道数： | 1 |
| 电源电压： | 3 V ~ 5.5 V |
| 电压 - 隔离： | 2500Vrms |
| 数据速率： | 110Mbps |
| 传输延迟： | 12ns |
| 输出类型： | 三态 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC（窄型） |
| 包装： | 管件 |
| 工作温度： | -40°C ~ 100°C |
| 产品目录页面： | 2771 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 390-1057-5 |
IL710
Absolute Maximum Ratings
Parameters
Storage Temperature
Junction Temperature
Ambient Operating Temperature (1)
IL710T
Supply Voltage
Input Voltage
Input Voltage
Output Voltage
Symbol
T S
T J
T A
V DD 1 , V DD 2
V I
V OE
V O
Min.
? 55
? 55
? 40
? 0.5
? 0.5
? 0.5
? 0.5
Typ.
Max.
150
150
100
125
7
V DD 1 +0.5
V DD 2 +0.5
V DD 2 +0.5
Units
°C
°C
°C
V
V
V
V
Test Conditions
Output Current Drive
I O
10
mA
Lead Solder Temperature
ESD
2
260
°C
kV
10 sec.
HBM
Recommended Operating Conditions
Parameters
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Units
Test Conditions
Ambient Operating Temperature
IL710 and IL710S
IL710T
T A
? 40
? 40
100
125
°C
°C
Junction Temperature
IL710 and IL710S
IL710T
Supply Voltage
Logic High Input Voltage
Logic Low Input Voltage
Input Signal Rise and Fall Times
T J
V DD 1 , V DD 2
V IH
V IL
t IR , t IF
? 40
? 40
3.0
2.4
0
110
125
5.5
V DD 1
0.8
1
°C
°C
V
V
V
μ s
Insulation Specifications
Parameters
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Units
Test Conditions
Creepage Distance (external)
MSOP
SOIC
PDIP
3.01
4.04
7.04
mm
mm
mm
Total Barrier Thickness (internal)
Leakage Current (5)
Barrier Resistance (5)
Barrier Capacitance (5)
Comparative Tracking Index
R IO
C IO
CTI
0.012
≥ 175
0.013
0.2
>10 14
1.1
mm
μ A
?
pF
V
240 V RMS , 60 Hz
500 V
f = 1 MHz
Per IEC 60112
High Voltage Endurance
(Maximum Barrier Voltage
for Indefinite Life)
Barrier Life
AC
DC
V IO
1000
1500
44000
V RMS
V DC
Years
At maximum
operating temperature
100°C, 1000 V RMS , 60%
CL activation energy
Thermal Characteristics
Parameter
Junction–Ambient
Thermal Resistance
Junction–Case (Top)
Thermal Resistance
MSOP
SOIC
PDIP
MSOP
SOIC
PDIP
Symbol
θ JA
Ψ JT
Min.
Typ.
80
60
60
40
10
20
Max.
Units
°C/W
°C/W
Test Conditions
Soldered to double-
sided board;
free air
MSOP
500
Power Dissipation
SOIC
PDIP
P D
675
800
mW
2
NVE Corporation
11409 Valley View Road, Eden Prairie, MN 55344-3617
Phone: (952) 829-9217
Fax: (952) 829-9189
www.IsoLoop.com
?NVE Corporation
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PDF描述 |
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参数描述 |
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