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参数资料
型号： ILD1615-1-X001
厂商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分类： 光电耦合器
英文描述： 2 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER
封装： ROHS COMPLIANT, DIP-8
文件页数： 3/10页
文件大小： 143K
代理商： ILD1615-1-X001
www.vishay.com
For technical questions, contact: optocoupler.answers@vishay.com
Document Number: 82582
2
Rev. 1.6, 20-Dec-07
ILD1615/ILQ1615
Vishay Semiconductors
Optocoupler, Phototransistor Output,
(Dual, Quad Channel), 110 °C Rated
Note
For additional information on the available options refer to option information.
Note
(1) Tamb = 25 °C, unless otherwise specified.
Stresses in excess of the absolute maximum ratings can cause permanent damage to the device. Functional operation of the device is not
implied at these or any other conditions in excess of those given in the operational sections of this document. Exposure to absolute maximum
ratings for extended periods of the time can adversely affect reliability.
(2) Refer to wave profile for soldering conditions for through hole devices.
ORDER INFORMATION
PART
REMARKS
ILD1615-1
CTR 40 to 80 %, DIP-8
ILQ1615-1
CTR 40 to 80 %, DIP-16
ILD1615-2
CTR 63 to 125 %, DIP-8
ILQ1615-2
CTR 63 to 125 %, DIP-16
ILD1615-3
CTR 100 to 200 %, DIP-8
ILQ1615-3
CTR 100 to 200 %, DIP-16
ILD1615-4
CTR 160 to 320 %, DIP-8
ILQ1615-4
CTR 160 to 320 %, DIP-16
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (1)
PARAMETER
TEST CONDITION
SYMBOL
VALUE
UNIT
INPUT
Peak reverse voltage
VR
6.0
V
Forward current
IF
60
mA
Surge current
IFSM
1.5
A
Power dissipation
Pdiss
100
mW
Derate linearly from 25 °C
1.0
mW/°C
OUTPUT
Collector emitter breakdown voltage
BVCEO
70
V
Emitter collector breakdown voltage
BVECO
7.0
V
Collector current
IC
50
mA
t < 1.0 ms
IC
100
mA
Power dissipation
Pdiss
150
mW
Derate linearly from 25 °C
1.5
mW/°C
COUPLER
Storage temperature
Tstg
- 55 to + 150
°C
Operating temperature
Tamb
- 55 to + 110
°C
Soldering temperature (2)
2.0 mm distance from case bottom
Tsld
260
°C
Package power dissipation ILD1615
400
mW
Derate linearly from 25 °C
5.33
mW/°C
Package power dissipation ILQ1615
500
mW
Derate linearly from 25 °C
6.67
mW/°C
Isolation test voltage
t = 1.0 s
VISO
5300
VRMS
Creepage distance
≥ 7.0
mm
Clearance distance
≥ 7.0
mm
Isolation resistance
VIO = 500 V, Tamb = 25 °C
RIO
≥ 1012
Ω
VIO = 500 V, Tamb = 100 °C
RIO
≥ 1011
Ω
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PDF描述
ILD1615-4 2 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER
ILD1615-3 2 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER
ILQ1615-2 4 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER
ILD1615-4-X001 2 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER
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相关代理商/技术参数
参数描述
ILD1615-1X009T 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Dual CTR > 40-80% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
ILD1615-2 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Dual CTR > 63-125% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
ILD1615-2X009T 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Dual CTR > 63-125% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
ILD1615-3 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Dual CTR > 100-200% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
ILD1615-3X009T 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Dual CTR > 100-200% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
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