参数资料
型号: ILD1615-1-X001
厂商: VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分类: 光电耦合器
英文描述: 2 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER
封装: ROHS COMPLIANT, DIP-8
文件页数: 6/10页
文件大小: 143K
代理商: ILD1615-1-X001
Document Number: 82582
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Rev. 1.6, 20-Dec-07
5
ILD1615/ILQ1615
Optocoupler, Phototransistor Output,
(Dual, Quad Channel), 110 °C Rated
Vishay Semiconductors
TYPICAL CHARACTERISTICS
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified
Fig. 1 - Permissible Power Dissipation vs. Temperature
Non-Saturation Operation
Fig. 2 - Forward Voltage vs. Forward Current
SATURATED
Propagation H to L
IF = 5.0 mA, VCC = 5.0 V, RL = 1.0 kΩ,
VHT = 1.5 V
ILD1615-1
tPHL
1.6
s
ILQ1615-1
ILD1615-2
tPHL
2.6
s
ILQ1615-2
ILD1615-3
tPHL
2.6
s
ILQ1615-3
ILD1615-4
tPHL
5.4
s
ILQ1615-4
Propagation L to H
IF = 5.0 mA, VCC = 5.0 V, RL = 1.0 kΩ,
VHT = 1.5 V
ILD1615-1
tPLH
8.6
s
ILQ1615-1
ILD1615-2
tPLH
7.2
s
ILQ1615-2
ILD1615-3
tPLH
7.2
s
ILQ1615-3
ILD1615-4
tPLH
7.4
s
ILQ1615-4
SWITCHING CHARACTERISTICS
PARAMETER
TEST CONDITION
PART
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
COMMON MODE TRANSIENT IMMUNITY
PARAMETER
TEST CONDITION
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Common mode rejection output high
VCM = 50 VP-P, RL = 1.0 kΩ, IF = 0 mA
CMH
5000
V/s
Common mode rejection output low
VCM = 50 VP-P, RL = 1.0 kΩ, IF = 0 mA
CML
5000
V/s
Common mode coupling capacitance
CCM
0.01
pF
0
50
100
150
200
250
300
350
400
020
40
60
80
100
120
18731
P
-Po
w
er
Dissipation
(m
W
)
tot
Detector
LED
Tamb - Ambient Temperature (°C)
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
0.10
1.00
10.00
100.00
IF - Forward Current (mA)
17596
V
-
For
w
ard
V
oltage
(
V
)
F
110 °C
0 °C
50 °C
25 °C
- 55 °C
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PDF描述
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参数描述
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ILD1615-2 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Dual CTR > 63-125% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
ILD1615-2X009T 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Dual CTR > 63-125% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
ILD1615-3 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Dual CTR > 100-200% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
ILD1615-3X009T 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Dual CTR > 100-200% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk