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参数资料
| 型号： | IPB050N06LG |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS㈢功率晶体管 |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 451K |
| 代理商： | IPB050N06LG |
IPP050N06N G IPB050N06N G
Parameter
Symbol Conditions
Unit
min.
typ.
max.
Dynamic characteristics
Input capacitance
C
iss
-
4600
6100
pF
Output capacitance
C
oss
-
1500
2000
Reverse transfer capacitance
C
rss
-
350
525
Turn-on delay time
t
d(on)
-
21
32
ns
Rise time
t
r
-
31
47
Turn-off delay time
t
d(off)
-
59
88
Fall time
t
f
-
30
45
Gate Charge Characteristics
4)
Gate to source charge
Q
gs
-
24
32
nC
Gate charge at threshold
Q
g(th)
-
9.7
13
Gate to drain charge
Q
gd
-
51
76
Switching charge
Q
sw
-
65
95
Gate charge total
Q
g
-
126
167
Gate plateau voltage
V
plateau
-
5.2
-
V
Output charge
Q
oss
V
DD
=30 V,
V
GS
=0 V
-
47
62
Reverse Diode
Diode continous forward current
I
S
-
-
100
A
Diode pulse current
I
S,pulse
-
-
400
Diode forward voltage
V
SD
V
GS
=0 V,
I
F
=100 A,
T
j
=25 °C
-
0.93
1.3
V
Reverse recovery time
t
rr
-
60
75
ns
Reverse recovery charge
Q
rr
-
130
160
nC
4)
See figure 16 for gate charge parameter definition
V
R
=30 V,
I
F
=
I
S
,
d
i
F
/d
t
=100 A/μs
T
C
=25 °C
Values
V
GS
=0 V,
V
DS
=30 V,
f
=1 MHz
V
DD
=30 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=100 A,
R
G
=2.2
V
DD
=30 V,
I
D
=100 A,
V
GS
=0 to 10 V
Rev. 1.11
page 3
2006-07-06
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPB050N06NG | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| IPB051NE8NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPI05CNE8NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPB05CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPI05CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPB050N06N G | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPB050N06NG | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| IPB050N06NGATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO-263 |
| IPB051NE8N G | 功能描述:MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 85V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPB051NE8NG | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
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