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参数资料
| 型号： | IPB50CN10NG |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS㈢2功率晶体管 |
| 文件页数： | 11/13页 |
| 文件大小： | 708K |
| 代理商： | IPB50CN10NG |
IPB50CN10N G IPD49CN10N G
IPI50CN10N G IPP50CN10N G IPU49CN10N G
PG-TO252-3: Outline
Rev. 1.01
page 11
2006-06-02
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPD49CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPI50CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPB80N04S2L-03 | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| IPB80N06S3L-06 | OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
| IPB80N06S3L-08 | OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPB50CN10NGATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3 |
| IPB50N10S3L-16 | 功能描述:MOSFET OptiMOS-T PWR TRANS 100V 50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPB50N10S3L16ATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3 |
| IPB50R140CP | 功能描述:MOSFET COOL MOS N-CH 550V 23A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPB50R140CPATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 550V 23A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:COOL MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 550V 23A TO-263 |
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