型号: | IPB80N06S3L-06 |
厂商: | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
英文描述: | OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
中文描述: | ㈢的OptiMOS - T的功率晶体管 |
文件页数: | 1/8页 |
文件大小: | 163K |
代理商: | IPB80N06S3L-06 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IPB80N06S3L-08 | OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
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IPB80P03P3L-04 | OptiMOS-P Power-Transistor |
IPD03N03LB | OptiMOS 2 Power-Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IPB80N06S3L-06_07 | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS-T2 Power-Transistor |
IPB80N06S3L06ATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO-263 |
IPB80N06S3L06XT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263 |
IPB80N06S3L-08 | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IPB80N06S3L-08_07 | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS-T2 Power-Transistor |